[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)材料的制作裝置及制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110224270.7
• 申請日: 2011-08-05
• 公開（公告）號: CN102916343A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭長四
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號: H01S5/34
• 分類號: H01S5/34;B82Y40/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種量子點(diǎn)材料制作裝置，其特征在于：包括外延裝置以及用于產(chǎn)生干涉圖像的光學(xué)裝置，所述外延裝置包括生長室，所述生長室為真空腔室，用于放置一襯底材料，該生長室腔壁上設(shè)有可供光線射入的多個(gè)窗口，所述光學(xué)裝置包括激光光源和調(diào)制光路，光束從激光光源射出后，經(jīng)所述調(diào)制光路分成多束光，該多束光分別通過所述多個(gè)窗口后射入生長室中，并在所述襯底材料表面形成干涉圖像。

2.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)材料制作裝置，其特征在于：所述多個(gè)窗口為三個(gè)，各自等間距的分布在所述生長室的腔壁四周。

3.如權(quán)利要求2所述的量子點(diǎn)材料制作裝置，其特征在于：所述光束從激光光源射出后，經(jīng)調(diào)制光路分成三束光，該三束光分別通過上述三個(gè)窗口后射入生長室中，并在襯底材料表面形成三光束干涉圖像。

4.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)材料制作裝置，其特征在于：所述多個(gè)窗口為四個(gè)，各自等間距的分布在所述生長室的腔壁四周。

5.如權(quán)利要求4所述的量子點(diǎn)材料制作裝置，其特征在于：所述光束從激光光源射出后，經(jīng)調(diào)制光路分成四束光，該四束光分別通過上述四個(gè)窗口后射入生長室中，并在襯底材料表面形成四光束干涉圖像。

6.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)材料制作裝置，其特征在于：所述激光光源為脈沖激光光源。

7.一種量子點(diǎn)材料的制作方法，采用如權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)材料制作裝置進(jìn)行制作，其特征在于，包括步驟：

1)將一襯底材料裝載到生長室中，對生長室進(jìn)行抽真空；

2)對襯底加熱，使襯底維持在第一溫度下，并開始用外延方法在所述襯底表面沉積一外延層；

3)控制沉積速率，使沉積在襯底材料表面的外延層厚度達(dá)到第二厚度，所述第二厚度小于第一溫度下的臨界厚度；

4)打開激光光源，在外延層表面形成一干涉圖像，所述干涉圖像使得外延層的部分區(qū)域溫度升高至第二溫度，該第二溫度下的臨界厚度小于第二厚度；

5)撤掉干涉圖像后，繼續(xù)沉積外延層，最終在外延層表面形成量子點(diǎn)。

8.如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)材料的制作方法，其特征在于：所述干涉圖像為周期性點(diǎn)陣，在該周期性點(diǎn)陣的干涉加強(qiáng)區(qū)，外延層的溫度升高至第二溫度。