[發(fā)明專利]一種定向生長的網(wǎng)格狀高性能碳納米管場發(fā)射陣列有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110224201.6 | 申請日： | 2011-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN102324350A | 公開（公告）日： | 2012-01-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張研;李馳 | 申請（專利權）人： | 張研;李馳 |
| 主分類號： | H01J1/304 | 分類號： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 陳建和 |
| 地址： | 210096 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 定向 生長 網(wǎng)格 性能 納米 發(fā)射 陣列 | ||
1.一種定向生長的網(wǎng)格狀高性能碳納米管場發(fā)射陣列，包括導電基底、生長在基底上的網(wǎng)格狀定向碳納米管陣列；其特征為：碳納米管陣列成網(wǎng)格狀分布，是一個整體結構。
2.如權利要求1所述的定向生長的網(wǎng)格狀高性能碳納米管場發(fā)射陣列碳納米管場發(fā)射陣列，其特征在于：導電基底可以為重摻雜的硅、覆蓋有金屬電極的玻璃基片、金屬基片等。
3.如權利要求1所述的定向生長的網(wǎng)格狀高性能碳納米管場發(fā)射陣列碳納米管場發(fā)射陣列，其特征在于：定向碳納米管陣列模板的生長方法可以為熱氣象化學沉積、等離子增強的氣象化學沉積等。
4.如權利要求1所述的定向生長的網(wǎng)格狀高性能碳納米管場發(fā)射陣列碳納米管場發(fā)射陣列，其特征在于：其網(wǎng)格形狀可以為正方形、圓形、六邊形等等。
5.定向生長的網(wǎng)格狀高性能碳納米管場發(fā)射陣列的制備方法，其特征是步驟如下：?
（1）首先，選用重摻雜的硅片作為襯底，將硅片分別在丙酮（acetone）和異丙醇（IPA）中清洗兩分鐘，去除表面有機物和其他雜質(zhì)，烘烤至180℃保持兩分鐘以去除表面的水分；
（2）接著在表面旋涂（spin-coat）一層電子束光刻膠，在180℃溫度下堅膜90秒；
（3）將光刻膠光刻出網(wǎng)格狀的圖案，經(jīng)過顯影，就制備出了具有圖案的光刻膠掩膜；
（4）然后通過磁控濺射的方法在樣品的表面濺射催化劑薄膜，這里的催化劑是由兩層薄膜組成的，下面一層是Al薄膜，厚度10nm，上面是Fe薄膜，厚度1nm；
（5）剝離，將樣品浸入丙酮中，沒有被曝光的光刻膠就被丙酮溶解，光刻膠表面的催化劑層自動脫落；這樣一來，樣品表面就只剩下了具有圖案的催化劑薄膜；
（6）然后采用熱氣象化學沉積法生長定向碳納米管，就可以制備出具有圖案的碳納米管薄膜陣列。
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