[發明專利]一種精確控制半導體器件摻雜區摻雜濃度的方法

有效

• 申請號: 201110224158.3
• 申請日: 2011-08-06
• 公開（公告）號: CN102254801A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 王新
• 申請（專利權）人: 深圳市穩先微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/223
• 分類號: H01L21/223
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種精確控制半導體器件摻雜區摻雜濃度的方法，其特征是，所述包括如下步驟：

（1）、首先將需要摻入雜質的硅片進行氧化，氧化溫度為500～1000℃，氧化厚度為100～200埃；

（2）、在氧化后的硅片上涂覆乳膠源涂覆液，涂覆層厚度為2500～2800埃；

（3）、將涂膠后的硅片置于120°～180°的紅外燈下烘烤15～20分鐘，使所述涂覆層中的有機溶劑發揮；

（4）、將硅片放在石英玻璃板上，送入擴散爐，在1100°～1250°的高溫下進行擴散2～4.5小時；

（5）、將擴散好的硅片放在恒溫區，并通入氧氣。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述對半導體器件硼摻雜區進行濃度摻雜時，在步驟（1）之前，還執行步驟a1，在硼乳膠源中加入光刻膠，加入的重量比重為硼乳膠源：光刻膠為1:0.2～0.5克；執行步驟a2，在硼乳膠源和光刻膠混合后并將二者放入攪拌皿中進行充分的攪拌，從而得到所述乳膠源涂覆液，攪拌時間為2～5小時，混合時注意所用的器皿不能引入其它雜質源及污染物質；接著執行步驟（1）。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征是，執行步驟（2）時，所述乳膠源涂覆液為乳膠混合涂覆液。

4.根據權利要求2所述的制造方法，其特征是，所述光刻膠在高溫碳化從而隨擴散過程中的攜帶氣體去除，得到需要的硼區雜質濃度分布。