[發明專利]一種MgxZn1-xO電致阻變薄膜及其非對稱結構異質結的制備方法無效
| 申請號： | 201110224038.3 | 申請日： | 2011-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN102255045A | 公開（公告）日： | 2011-11-23 |
| 發明（設計）人： | 王華;高書明;許積文;楊玲;周尚菊 | 申請（專利權）人： | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 桂林市華杰專利商標事務所有限責任公司 45112 | 代理人： | 王儉 |
| 地址： | 541004 廣西*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mg sub zn 電致阻變 薄膜 及其 對稱 結構 異質結 制備 方法 | ||
1.一種MgxZn1-xO電致阻變薄膜及其非對稱結構異質結的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
（1）以鍍有ITO、AZO等透明導電氧化物薄膜的玻璃為襯底，并對襯底進行表面處理和清洗；
（2）配制MgxZn1-xO溶膠；?
（3）將配制好的溶膠滴到襯底上，再進行勻膠，制作濕膜；
（4）對勻好膠的濕膜進行低溫烘干處理，去除濕膜中的碳、氫成分；
（5）將烘干處理過的薄膜進行預熱處理；
（6）重復上述步驟(3)-(5)，根據所需薄膜的厚度確定重復次數，直至獲得所需厚度的MgxZn1-xO薄膜；
（7）對上述MgxZn1-xO薄膜在空氣環境、一定溫度下進行退火處理，使薄膜晶化；
（8）樣品自然冷卻后即可獲得MgxZn1-xO電致阻變薄膜；
（9）在MgxZn1-xO電致阻變薄膜表面上采用直流磁控濺射工藝制備金屬上電極薄膜，獲得“金屬薄膜/MgxZn1-xO/透明導電氧化物薄膜”非對稱結構異質結。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征是：步驟（1）所述的鍍有ITO、AZO等透明導電氧化物薄膜玻璃襯底的表面處理和清洗工藝步驟是：
①?用氫氧化鈉溶液浸泡24小時，去除殘留在表面的附著物；
②?丙酮中超聲清洗10-15分鐘，去除襯底表面有機物；
③?乙醇中超聲清洗8-15分鐘，除掉襯底表面的碳氫化合物；
④?最后用去離子水超震10分鐘，去除殘留的乙醇。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征是：步驟（2）所述的配制MgxZn1-xO溶膠的原料為：醋酸鋅(Zn(CH3COO)2·2H2O)，四水乙酸鎂（Mg（CH3COO）2·4H2O），乙二醇甲醚(CH3OCH2CH2OH),乙醇胺，異丙醇；四水乙酸鎂︰醋酸鋅的摩爾比為0.11-0.67︰1.00，作為溶質；乙醇胺作為穩定劑，且溶質︰乙醇胺的摩爾比為0.80-1.10:1.00；乙二醇甲醚︰異丙醇的體積比為0.8-1.10︰1.00，作為溶劑，且0.25-0.55?摩爾溶質配1000毫升溶劑。
4.根據權利要求1或3所述的制備方法，其特征是：步驟（2）所述的配制MgxZn1-xO溶膠的原料最佳配比為：溶質四水乙酸鎂︰醋酸鋅的摩爾比為0.25︰1.00；溶質︰乙醇胺的摩爾比為1.00:1.00；溶劑乙二醇甲醚︰異丙醇的體積比為1.00︰1.00；0.30摩爾溶質配1000毫升溶劑。
5.根據權利要求1或3所述的制備方法，其特征是：步驟（2）中所述MgxZn1-xO溶膠的制備方法，包括下述步驟：
①?在洗凈干燥的容器中加入適量的乙二醇甲醚和異丙醇；
②?將稱量好的醋酸鋅、四水乙酸鎂粉末放入容器中；
③?將適量的乙醇胺溶劑倒入容器中；
④?恒溫磁力攪拌器的溫度設置為25℃，將前述溶液置于磁力攪拌器上攪拌12小時，使之反應均勻充分，得到透明均質的MgxZn1-xO溶膠。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征是：?
步驟（4）、（5）和（7）中MgxZn1-xO薄膜的熱處理條件為：先在90-120℃溫度下進行烘干，后在320-390℃溫度下進行預熱處理，最后在溫度為400-520℃、空氣環境下退火30-60?分鐘。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征是：步驟（9）所述的金屬上電極薄膜為銀。
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