[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110223889.6
• 申請(qǐng)日: 2011-08-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102916108A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅杏芬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L25/075
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基座、第一發(fā)光二極管、第二發(fā)光二極管，該基座上開(kāi)設(shè)形成一收容槽，其特征在于：所述收容槽的底面凸起形成一擋墻，該擋墻將收容槽分割為第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一發(fā)光二極管和第二發(fā)光二極管分別設(shè)置在第一區(qū)域和第二區(qū)域中，并由擋墻相互隔開(kāi)，該擋墻內(nèi)封設(shè)有一與第一發(fā)光二極管及第二發(fā)光二極管并聯(lián)連接的穩(wěn)壓裝置。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括第一電極及第二電極，該第一電極及第二電極間隔設(shè)置，且分別由該收容槽底部延伸至基座的底面，所述第一發(fā)光二極管設(shè)于第一電極上，第二發(fā)光二極管設(shè)于第二電極上，并通過(guò)導(dǎo)線分別與第一電極與第二電極電連接，所述第二發(fā)光二極管設(shè)置在第二電極上，并通過(guò)導(dǎo)線分別與第一電極與第二電極電連接，所述穩(wěn)壓裝置與第一電極及第二電極電連接。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述穩(wěn)壓裝置為穩(wěn)壓二極管，其以覆晶的方式設(shè)于第一電極及第二電極上。

4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述穩(wěn)壓裝置為穩(wěn)壓二極管，該穩(wěn)壓二極管包括包括一第一電性摻雜層和一第二電性摻雜層，第一電性摻雜層與第二電性摻雜層并排設(shè)置，該第一電性摻雜層為P型摻雜層，第二電性摻雜層為N型摻雜層，該第一電性摻雜層與第一電極電連接，該第二電性摻雜層與第二電極電連接。

5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一電極及第二電極分別由基座的中間穿過(guò)基座延伸到基座的底面。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述收容槽包括上下設(shè)置的第一收容槽及第二收容槽，該第二收容槽設(shè)于第一收容槽的底端中部，該第二收容槽的輪廓尺寸小于第一收容槽的輪廓尺寸，所述擋墻設(shè)于第二收容槽內(nèi)，所述第一區(qū)域及第二區(qū)域內(nèi)分別填充有第一封裝層及第二封裝層，該第一收容槽內(nèi)填充有第三封裝層，該第一封裝層及第二封裝層的折射率大于第三封裝層的折射率。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：該第一收容槽的底端還填充有一熒光粉層，該熒光粉層設(shè)于第一封裝層、第二封裝層及擋墻上，該第三封裝層設(shè)于熒光粉層上。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：擋墻的截面為一梯形，其上表面寬度小于下表面的寬度，兩個(gè)側(cè)表面為傾斜面，該傾斜面涂敷有反光材料。

9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一收容槽的內(nèi)表面為第一傾斜面，該第一傾斜面自基座頂面向基座底面方向延伸并沿第一收容槽的徑向向內(nèi)傾斜，該第二收容槽的內(nèi)表面為第二傾斜面，該第二傾斜面由第二收容槽的底端向基座底面方向延伸并沿第二收容槽的徑向向內(nèi)傾斜，該第一收容槽及第二收容槽的內(nèi)表面還涂敷有反光材料。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二傾斜面的傾斜角度大于第一傾斜面的傾斜角度。