[發明專利]一種基于電光效應和光纖放大器的可調諧中紅外光源

無效

• 申請號: 201110223702.2
• 申請日: 2011-08-05
• 公開（公告）號: CN102332670A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 賈富強;鄭新雙;姬彪
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01S3/067
• 分類號: H01S3/067;H01S3/0941;H01S3/115
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所 35200
• 代理人: 馬應森

1.一種基于電光效應和光纖放大器的可調諧中紅外光源，其特征在于設有種子光源、光纖放大器、耦合系統、光參量振蕩器的輸入鏡、用于頻率變換的非線性晶體和輸出耦合鏡；

所述種子光源設有半導體激光器、準直光學系統、聚焦光學系統、激光晶體、主動調Q用電光晶體、配合電光晶體一起使用的起偏器和主動電光調Q激光器的輸出鏡，所述半導體激光器、準直光學系統、聚焦光學系統、激光晶體、主動調Q用電光晶體、配合電光晶體一起使用的起偏器、主動電光調Q激光器的輸出鏡和耦合系統按從左往右順序依次擺放，半導體激光器、準直光學系統、聚焦光學系統、激光晶體、主動調Q用電光晶體、配合電光晶體一起使用的起偏器、主動電光調Q激光器的輸出鏡和耦合系統的中心處于同一光軸上，半導體激光器、準直光學系統、聚焦光學系統、激光晶體、主動調Q用電光晶體、配合電光晶體一起使用的起偏器、主動電光調Q激光器的輸出鏡和耦合系統之間的間距可調；所述耦合系統設于種子光源與光纖放大器之間；所述光纖放大器設有光纖和帶光纖耦合輸出的半導體激光器泵浦源，所述光參量振蕩器的輸入鏡、用于頻率變換的非線性晶體和輸出耦合鏡按從左往右順序依次擺放，光參量振蕩器的輸入鏡、用于頻率變換的非線性晶體和輸出耦合鏡的中心處于同一光軸上，光參量振蕩器的輸入鏡、用于頻率變換的非線性晶體和輸出耦合鏡之間的間距可調。

2.如權利要求1所述的一種基于電光效應和光纖放大器的可調諧中紅外光源，其特征在于所述種子光源的波長為1000～1100nm。

3.如權利要求1所述的一種基于電光效應和光纖放大器的可調諧中紅外光源，其特征在于所述種子光源的激光器諧振腔由激光晶體和主動電光調Q激光器的輸出鏡構成，所述激光晶體的左端面鍍制808nm泵浦光增透膜1000～1100nm范圍內基頻光的高反射膜，激光晶體的右端面鍍制基頻光增透膜，主動調Q用電光晶體和配合電光晶體一起使用的起偏器的左右端面和主動電光調Q激光器的輸出鏡的右端面鍍制基頻光的增透膜，主動電光調Q激光器的輸出鏡左端面鍍制基頻光的部分反射膜。

4.如權利要求1所述的一種基于電光效應和光纖放大器的可調諧中紅外光源，其特征在于主動調Q用電光晶體和配合電光晶體一起使用的起偏器構成電光Q開關，該Q開光通過外部電路進行驅動和控制。

5.如權利要求1所述的一種基于電光效應和光纖放大器的可調諧中紅外光源，其特征在于所述半導體激光器、準直光學系統、聚焦光學系統、激光晶體、主動調Q用電光晶體、配合電光晶體一起使用的起偏器、主動電光調Q激光器的輸出鏡和耦合系統之間的間距可調的范圍為0.5～100mm。

6.如權利要求1所述的一種基于電光效應和光纖放大器的可調諧中紅外光源，其特征在于所述耦合系統中設有一個單向器。

7.如權利要求1所述的一種基于電光效應和光纖放大器的可調諧中紅外光源，其特征在于所述帶光纖耦合輸出的半導體激光器泵浦源設至少3個。

8.如權利要求1所述的一種基于電光效應和光纖放大器的可調諧中紅外光源，其特征在于所述光纖為摻Yb³⁺的雙包層光纖或光子晶體光纖。

9.如權利要求1所述的一種基于電光效應和光纖放大器的可調諧中紅外光源，其特征在于所述光參量振蕩器的輸入鏡、用于頻率變換的非線性晶體和輸出耦合鏡之間的間距可調的范圍為0.5～100mm。