[發(fā)明專利]一種雙結(jié)構(gòu)絨面透明導(dǎo)電電極的制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110223612.3 | 申請(qǐng)日: | 2011-08-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102270705A | 公開(公告)日: | 2011-12-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賈海軍;張麗;潘清濤;宋鑫;胡增鑫;麥耀華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 保定天威集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司: | 唐山順誠專利事務(wù)所 13106 | 代理人: | 于文順 |
| 地址: | 071051 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 結(jié)構(gòu) 透明 導(dǎo)電 電極 制備 方法 | ||
1.一種雙結(jié)構(gòu)絨面透明導(dǎo)電電極的制備方法,其特征在于包含如下工藝步驟:首先采用薄膜沉積技術(shù)在基片(1)上制備透明導(dǎo)電氧化物,稱之為TCO透明導(dǎo)電薄膜(2),利用濕法刻蝕的方法對(duì)其薄膜表面進(jìn)行刻蝕;通過改變工藝參數(shù),來獲得尺寸較大的絨面織構(gòu),稱之為絨面織構(gòu)的TCO薄膜(3);其次,在此絨面織構(gòu)的TCO薄膜表面,采用鍍膜技術(shù),沉積BZO透明導(dǎo)電薄膜(4),通過調(diào)整BZO透明導(dǎo)電薄膜沉積參數(shù)來獲得尺寸較小的絨面織構(gòu),使整個(gè)透明電極具有雙結(jié)構(gòu)的絨面織構(gòu),應(yīng)用于薄膜太陽能電池,對(duì)可見光和近紅外光均能實(shí)現(xiàn)有效的光散射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之雙結(jié)構(gòu)絨面透明導(dǎo)電電極的制備方法,其特征在于所說的改變刻蝕工藝參數(shù),包括刻蝕溶液的種類、濃度、溫度、刻蝕時(shí)間、TCO玻璃在溶液中運(yùn)動(dòng)的速率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之雙結(jié)構(gòu)絨面透明導(dǎo)電電極的制備方法,其特征在于所說的薄膜太陽能電池為硅基系列薄膜電池、碲化鎘系列薄膜電池、銅銦鎵錫系列薄膜電池或有機(jī)化合物材料薄膜電池。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之雙結(jié)構(gòu)絨面透明導(dǎo)電電極的制備方法,其特征在于所說的TCO透明導(dǎo)電薄膜為氧化鋅(ZnO)薄膜、硼(B)摻雜ZnO薄膜、鋁(Al)摻雜ZnO薄膜、鎵(Ga)摻雜ZnO薄膜、其他金屬元素?fù)诫sZnO薄膜,也可以是金屬元素?fù)诫s的氧化錫薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之雙結(jié)構(gòu)絨面透明導(dǎo)電電極的制備方法,其特征在于所采用的鍍膜技術(shù)為LPCVD技術(shù)、磁控濺射技術(shù)、脈沖激光沉積技術(shù)、旋涂技術(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之雙結(jié)構(gòu)絨面透明導(dǎo)電電極的制備方法,其特征在于所說的基片為玻璃基片,包括半鋼化玻璃基片、鋼化玻璃基片、聚酯膜基片及柔性襯底基片。
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