[發明專利]裝飾膜和裝飾裝置無效
| 申請號: | 201110222465.8 | 申請日: | 2011-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN102371718A | 公開(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發明(設計)人: | 黃世敏 | 申請(專利權)人: | 鑼洋科技股份有限公司 |
| 主分類號: | B32B9/04 | 分類號: | B32B9/04;B44C5/04 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣桃*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝飾 裝置 | ||
1.一種裝飾膜,其包括:
柔性襯底;
第一電極層,其安置于所述柔性襯底上;
聚合物光電轉換層,其安置于所述第一電極層上;
第二電極層,其安置于所述聚合物光電轉換層上,其中所述聚合物光電轉換層位于所述第一電極層與所述第二電極層之間,且所述第一電極層與所述第二電極層中的至少一個為透明導電層;以及
粘附層,其安置于所述第二電極層上,以使得所述第一電極層、所述聚合物光電轉換層以及所述第二電極層位于所述粘附層與所述柔性襯底之間。
2.根據權利要求1所述的裝飾膜,其中所述聚合物光電轉換層的材料包括p型半導體聚合物和n型半導體聚合物。
3.根據權利要求2所述的裝飾膜,其中所述p型半導體聚合物包括以下各項中的至少一個:聚噻吩、聚芴、聚亞苯基乙烯、聚噻吩的衍生物、聚芴的衍生物、聚亞苯基乙烯的衍生物、聚(3-己基噻吩)(P3HT)、共軛低聚物以及小分子。
4.根據權利要求3所述的裝飾膜,其中聚噻吩的所述衍生物包括以下各項中的至少一個或其組合:聚(二辛基芴)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1,4-亞苯基乙烯。
5.根據權利要求3所述的裝飾膜,其中所述共軛低聚物為六噻吩。
6.根據權利要求3所述的裝飾膜,其中所述小分子包括以下各項中的至少一個或其組合:并五苯、并四苯、六苯并蔻、酞菁、卟啉、并五苯的衍生物、并四苯的衍生物、六苯并蔻的衍生物、酞菁的衍生物、卟啉的衍生物。
7.根據權利要求2所述的裝飾膜,其中所述n型半導體聚合物包括以下各項中的至少一個:C60、C60的衍生物、C70、C70的衍生物、碳納米管、碳納米管的衍生物、3,4,9,10-苝四甲酸-雙-苯并咪唑(PTCBI)、N,N′-二甲基-3,4,9,10-苝四甲酸二酰亞胺(Me-PTCDI)、PTCBI的衍生物、Me-PTCBI的衍生物、聚(2,5,2′,5′-四己氧基-7,8′-二氰基-二-對亞苯基乙烯(CN-PPV)、聚(9,9′-二辛基芴-共-苯并噻二唑(F8BT)以及半導體納米粒子。
8.根據權利要求7所述的裝飾膜,其中C60的所述衍生物為苯基C61-丁酸甲酯(PCBM)。
9.根據權利要求7所述的裝飾膜,其中所述碳納米管包括以下各項中的至少一個或其組合:單壁碳納米管、多壁碳納米管。
10.根據權利要求7所述的裝飾膜,其中所述半導體納米粒子包括以下各項中的至少一個或其組合:二氧化鈦納米粒子、硒化鎘納米粒子、硫化鎘納米粒子。
11.根據權利要求1所述的裝飾膜,其進一步包括穿透通過所述粘附層的第一導電圖案和第二導電圖案,其中所述第一導電圖案接觸所述第一電極層的遠離所述柔性襯底的一側,且所述第二導電圖案接觸所述第二電極層的遠離所述柔性襯底的一側。
12.根據權利要求1所述的裝飾膜,其進一步包括圖案層,所述圖案層安置于所述柔性襯底與所述粘附層之間,且位于所述聚合物光電轉換層的鄰近于所述透明導電層的一側。
13.根據權利要求1所述的裝飾膜,其進一步包括剝離層,所述剝離層安置于所述柔性襯底與所述第一電極層之間。
14.根據權利要求13所述的裝飾膜,其進一步包括保護層,所述保護層安置于所述剝離層與所述第一電極層之間。
15.根據權利要求14所述的裝飾膜,其中所述剝離層和所述保護層中的至少一個具有遠離所述第一電極層的粗糙表面。
16.根據權利要求13所述的裝飾膜,其進一步包括分別穿透通過所述剝離層的第一導電圖案和第二導電圖案,其中所述第一導電圖案和所述第二導電圖案分別接觸所述第一電極層的遠離所述粘附層的一側和所述第二電極層的遠離所述粘附層的一側。
17.根據權利要求16所述的裝飾膜,其中所述第二導電圖案進一步穿透通過所述第一電極層和所述聚合物光電轉換層,同時所述第二導電圖案與所述第一電極層電隔離。
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