[發(fā)明專利]有源驅(qū)動(dòng)OLED器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110222360.2
• 申請(qǐng)日: 2011-08-04
• 公開（公告）號(hào): CN102262855A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳鋼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/32
• 分類號(hào): G09G3/32;H01L27/32
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示及照明領(lǐng)域，尤其涉及一種有源驅(qū)動(dòng)OLED(有機(jī)電致發(fā)光顯示)器件。

背景技術(shù)

AM(有源驅(qū)動(dòng))OLED是下一代顯示技術(shù)，在顯示和發(fā)光特性上具有高效率，在顯示品質(zhì)上和TFT-LCD比具有諸多的優(yōu)點(diǎn)，是目前業(yè)內(nèi)研究的重點(diǎn)。

OLED器件的驅(qū)動(dòng)方式為電流驅(qū)動(dòng)，亮度與電流量成正比，由于TFT器件長(zhǎng)期工作在直流電壓偏置狀態(tài)下會(huì)發(fā)生器件特性偏移，進(jìn)而電流下降，導(dǎo)致亮度降低。另外還存在電壓滯后效應(yīng)，當(dāng)柵極電壓分別從小到大與從大到小變化的時(shí)候，相同的電壓偏置狀態(tài)處于上升和下降的不同過程中，通過器件的電流并不相等。因此為了達(dá)到固定電流驅(qū)動(dòng)的目的，為了補(bǔ)償TFT的特性不一致或RGB元件特性不一致，每個(gè)像素至少需要兩個(gè)或多個(gè)TFT和一個(gè)儲(chǔ)存電容來構(gòu)成。

非晶硅技術(shù)最成功的應(yīng)用是在液晶生產(chǎn)工藝中，目前的LCD廠家，除少數(shù)使用LTPS(低溫多晶硅)技術(shù)外，絕大部分使用的是a-Si(非晶硅)技術(shù)。采用a-Si技術(shù)進(jìn)行AM?OLED的生產(chǎn)，設(shè)備完全可以使用目前液晶TFT加工的原有設(shè)備，初期投入成本低。

OLED器件是電流驅(qū)動(dòng)器件，a-Si器件的電子遷移率不到1cm2/V-s，較低的載流子遷移率意味著TFT能提供的電流可能會(huì)不充分，a-Si器件在大尺寸、高分辨率的AM?OLED上的難度比較大。

現(xiàn)在開發(fā)的方向是使用LTPS作為AM?OLED的驅(qū)動(dòng)，但工藝復(fù)雜，良率不能保證。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的：針對(duì)上述現(xiàn)有存在的問題和不足，本發(fā)明的目的是提供一種能提供充分電流的有源驅(qū)動(dòng)OLED器件。

技術(shù)方案：為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種有源驅(qū)動(dòng)OLED器件，被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路連接有源驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光材料的陽(yáng)極。

所述被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路可為連接像素電極的信號(hào)電極。

所述陽(yáng)極的材料可為銦錫氧化物(ITO)等具有高功函數(shù)、良好的導(dǎo)電性、良好的化學(xué)及形態(tài)的穩(wěn)定性的金屬氧化物或金屬。

所述被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓可小于有源驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光材料的閾值電壓。

有益效果：本發(fā)明在AM?OLED器件驅(qū)動(dòng)部分設(shè)計(jì)被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路，以補(bǔ)償進(jìn)入AM?OLED器件里的驅(qū)動(dòng)電流，使基于非晶硅驅(qū)動(dòng)的AM?OLED可以應(yīng)用于更大尺寸和更高分辨率的OLED器件，并且獲得良好的良率。

附圖說明

圖1為增加被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路的有源驅(qū)動(dòng)OLED中單個(gè)像素的電路示意圖；

圖2為圖1所示電路部分電壓和電流的時(shí)序關(guān)系示意圖；

圖3為增加被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路的有源驅(qū)動(dòng)OLED中多個(gè)像素的整體示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。

如圖1所示，該電路主要包含2個(gè)行開關(guān)電極SELECT和V_DRIVER，1個(gè)驅(qū)動(dòng)TFT(T4)，2個(gè)開關(guān)TFT(T1、T2)，1個(gè)存貯電容C和1個(gè)OLED發(fā)光單元。薄膜晶體管T3的柵極和漏極連接在一起，從而使T3具有二極管的性質(zhì)；以及第一信號(hào)電極I_DATA和第二信號(hào)電極I_PM。在5道曝光生產(chǎn)制程中，第一信號(hào)電極I_DATA一般在第三層曝光成膜，材料為AL、Ti、Cu等金屬，為主要的信號(hào)電極，第二信號(hào)電極線I_PM在第五層曝光成膜，和像素電極材質(zhì)相同，材料一般為ITO、Ag等金屬氧化物或金屬，通過各個(gè)子像素電極連接出來，直接將電流提供在面板的子像素上，本發(fā)明有源驅(qū)動(dòng)電路部分僅為示例，I_PM可以搭配多種目前已公布的有源驅(qū)動(dòng)OLED的電路結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的特點(diǎn)在于新添加了被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路I_PM。