[發明專利]一種用于柵極相關制程及其后續制程監控的測試器件結構的其制備工藝

無效

• 申請號: 201110222149.0
• 申請日: 2011-08-04
• 公開（公告）號: CN102427029A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 鄭春生;張文廣;徐強;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/66
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種用于柵極相關制程及其后續制程監控的測試器件結構的制備工藝，其特征在于，包括以下的步驟：

步驟S1：提供一硅襯底，在所述硅襯底上依次沉積一襯墊氧化層和一氮化硅層，并在所述氮化硅層之上涂覆一層光刻膠；

步驟S2：對所述光刻膠層進行光刻工藝，暴露出所述氮化硅層，形成位于所述氮化硅層之上的光刻膠保留結構；

步驟S3：以所述光刻膠保留結構為掩膜刻蝕所述氮化硅層，暴露出所述襯墊氧化層，形成位于所述光刻膠保留結構下方的氮化硅保留結構，并移除所述光刻膠保留結構；

步驟S4：以所述氮化硅保留結構為掩膜刻蝕所述襯墊氧化層和所述硅襯底，形成位于所述硅襯底中的樣本柵以及覆蓋于所述樣本柵之上的襯墊氧化層保留結構；

步驟S5：移除所述襯墊氧化層保留結構。

2.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，在所述步驟S3中采用干法刻蝕刻蝕所述氮化硅層。

3.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，在所述步驟S4中采用干法刻蝕刻蝕所述襯墊氧化層和所述硅襯底。

4.如權利要求1或3所述的制備工藝，其特征在于，所述的襯墊氧化層的為二氧化硅層。

5.一種用于柵極相關制程及其后續制程監控的測試器件結構的制備工藝，其特征在于，包括以下的步驟：

步驟S1：提供一硅襯底，在所述硅襯底上依次沉積一襯墊氧化層和一氮化硅層，并在所述氮化硅層之上涂覆一層光刻膠；

步驟S2：對所述光刻膠層進行光刻工藝，暴露出所述氮化硅層，形成位于所述氮化硅層之上的光刻膠保留結構；

步驟S3：以所述光刻膠保留結構為掩膜依次刻蝕所述氮化硅層，暴露出所述襯墊氧化層，形成位于所述光刻膠保留結構下方的氮化硅保留結構，并移除所述光刻膠保留結構；

步驟S4：以所述氮化硅保留結構為掩膜刻蝕所述襯墊氧化層，暴露出所述硅襯底，形成位于所述氮化硅保留結構下方的襯墊氧化層保留結構，并移除所述氮化硅保留結構；

步驟S5：以所述氮化硅保留結構為掩膜刻蝕所述硅襯底，形成位于所述襯墊氧化層保留結構下方的樣本柵。

6.步驟S移除所述襯墊氧化層保留結構。

7.如權利要求5所述的制備工藝，其特征在于，在所述步驟S3中分別采用干法刻蝕蝕刻所述氮化硅層。

8.如權利要求5所述的制備工藝，其特征在于，在所述步驟S4中分別采用干法刻蝕蝕刻所述襯墊氧化層。

9.如權利要求5所述的制備工藝，其特征在于，在所述步驟S5中分別采用干法刻蝕刻蝕所述硅襯底。

10.如權利要求5或7所述的制備工藝，其特征在于，所述的襯墊氧化層為二氧化硅層。