[發(fā)明專利]一種避免光阻中毒的碳化硅薄膜制備新方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110222123.6
• 申請(qǐng)日: 2011-08-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102437093A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張文廣;徐強(qiáng);鄭春生;陳玉文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/314
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種避免光阻中毒的碳化硅薄膜制備新方法，提供一襯底，在所述襯底上淀積一層低K值介電層，在所述低K值介電層上刻蝕形成多個(gè)溝槽，在所述溝槽中填充金屬銅，再進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化，然后形成第一碳化硅薄膜覆蓋所述金屬銅和所述低K值介電層，其特征在于，所述第一碳化硅薄膜為多層第二碳化硅薄膜依次相互堆疊形成；

每一層第二碳化硅薄膜的制備過(guò)程中，先用含氮反應(yīng)氣體淀積形成第二碳化硅薄膜，再去除所述第二碳化硅薄膜中的氮元素；

然后在去除了氮元素的第二碳化硅薄膜上繼續(xù)用含氮反應(yīng)氣體淀積形成新的一層第二碳化硅薄膜，再去除所述新的第二碳化硅薄膜中的氮元素；

重復(fù)上述第二碳化硅薄膜的形成步驟和去除氮元素的步驟，直至形成多層第二碳化硅薄膜堆疊的厚度達(dá)到第一碳化硅薄膜的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氮反應(yīng)氣體包括氨氣。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，采用包括碳?xì)浠衔锏牡入x子體來(lái)去除所述多層第二碳化硅薄膜中的氮元素。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述含氮反應(yīng)氣體還包括乙基三甲基硅烷。

5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述含氮反應(yīng)氣體還包括四甲基硅烷。

6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述多層第二碳化硅薄膜中每一層第二碳化硅薄膜的厚度彼此不全相同。