[發明專利]一種半導體通孔開設方法

無效

• 申請號: 201110222122.1
• 申請日: 2011-08-04
• 公開（公告）號: CN102437092A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 周軍;傅昶
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種半導體通孔開設方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：在所述半導體襯底上覆蓋一層圖形硬掩層，并通過光刻形成圖形硬掩層中的圖形開口；

步驟二：在所述圖形硬掩膜層上方再次沉積一層硬掩膜材料層，硬掩膜材料層同時覆蓋于圖形硬掩膜層中的開口的側壁和底部，從而在所述硬掩膜材料層以及圖形硬掩膜層中形成新的圖形開口；

步驟三：刻蝕除掉位于所述圖形硬掩膜層的圖形開口底部的硬掩膜材料層；并以步驟二中在所述硬掩膜材料層以及圖形硬掩膜層中所形成的新的圖形開口為掩膜，對襯底進行刻蝕，形成通孔；?

步驟四：去除覆蓋于所述圖形硬掩膜層上方的所述的硬掩膜材料層部分。

2.根據權利要求1所述的半導體通孔開設方法，其特征在于，所述圖形硬掩膜層為單一覆蓋層。

3.根據權利要求1所述的半導體通孔開設方法，其特征在于，所述圖形硬掩膜層材料為氮化硅。

4.根據權利要求1所述的半導體通孔開設方法，其特征在于，在所述步驟二中，采用原子層淀積或者化學氣相沉積的方法在所述圖形硬掩膜層上方沉積一層硬掩膜材料層。

5.根據權利要求1所述的半導體通孔開設方法，其特征在于，所述原子層淀積或者化學氣相沉積所形成的硬掩膜材料層材料采用為硬掩膜材料。

6.根據權利要求1所述的半導體通孔開設方法，其特征在于，本方法應用于MOS半導體制造工藝中。

7.根據權利要求1所述的半導體通孔開設方法，其特征在于，本方法應用于襯底開設直徑為1~100nm，深度為1~1000nm的通孔開設工藝中。