[發明專利]一種靜電抑制器及該靜電抑制器的制備方法有效
| 申請號： | 201110222104.3 | 申請日： | 2011-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN102426890A | 公開（公告）日： | 2012-04-25 |
| 發明（設計）人： | 吳浩;梁傳勇 | 申請（專利權）人： | 吳浩 |
| 主分類號： | H01C7/105 | 分類號： | H01C7/105;H01C17/00 |
| 代理公司： | 廣東國暉律師事務所 44266 | 代理人： | 陳琳 |
| 地址： | 518020 廣東省廣州市經濟*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 靜電 抑制器 制備 方法 | ||
1.一種超低容量靜電抑制器，包括ZnO基體和電極，該電極設置于ZnO基體的兩端，其特征在于：所述的ZnO基體上還設置有Mg-Zn-Ti基體，該Mg-Zn-Ti基體按摩爾比4∶1∶5的MgO、ZnO、TiO2粉料配比而成。
2.根據權利要求1所述的超低容量靜電抑制器，其特征在于：所述的Mg-Zn-Ti基體與ZnO基體的厚度比大于或等于1∶1。
3.根據權利要求1所述的超低容量靜電抑制器，其特征在于：所述的Mg-Zn-Ti基體與ZnO基體的厚度比大于或等于4∶1。
4.一種權利要求1的靜電抑制器的制備方法，其特征在于：包括下列步驟制得：
(1)制漿：ZnO、Mg-Zn-Ti粉體分別配置漿料，該Mg-Zn-Ti粉體按摩爾比4∶1∶5的MgO、ZnO、TiO2粉料進行配比；
(2)流延：將上述配制好的漿料通過流延機制得厚度為20～40μm的膜片；
(3)疊層：疊層總厚為800μm～1200μm，Mg-Zn-Ti與Zn膜片厚度比大于或等于1∶1；
(4)壓坯：將疊好的坯塊密封，在40℃～60℃熱水中等靜壓15min～30min；
(5)切割：將上述靜壓后的膜片進行切割；
(6)排膠、燒結：將上述切割后的膜片在250℃～400℃條件下進行排除有機粘合劑，排膠完成的芯片在800℃～1000℃下燒結1h～3h，得到靜電抑制器的芯片；
(7)退火步驟，將所述燒結后的芯片在400℃～600℃退火30min；
(8)批銀及表面處理，通過在芯片的兩端設置銀電極，再進行表面處理得到所述的靜電抑制器。
5.根據權利要求4所述的靜電抑制器的制備方法，其特征在于：所述的(1)步驟中，MgO、ZnO、TiO2粉料混合后，在800℃～1000℃下預燒結得到Mg0.8Zn0.2TiO3粉體，再將Mg-Zn-Ti粉體與預合成的Al2O3-SiO2-BiO2玻璃料按質量比96∶4混合制得Mg-Zn-Ti基體。
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