[發(fā)明專利]發(fā)光二極管裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110221787.0
• 申請(qǐng)日: 2011-07-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102610722A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝鴻生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 奇美電子股份有限公司;群康科技(深圳)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/14
• 分類號(hào): H01L33/14;H01L33/40;H01L33/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種發(fā)光二極管裝置，包含：

一絕緣基底，具有一上表面及一下表面；

一圖形化導(dǎo)電層，配置于該絕緣基底的部分上表面；

一緩沖層，配置于該絕緣基底未被該圖形化導(dǎo)電層所覆蓋的上表面；

一第一半導(dǎo)體層，配置于該緩沖層之上；

一發(fā)光層，配置于該第一半導(dǎo)體層之上；

一第二半導(dǎo)體層，配置于該發(fā)光層之上；以及

一電極，配置于該第二半導(dǎo)體層之上。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該圖形化導(dǎo)電層是進(jìn)一步延伸以覆蓋該絕緣基底的側(cè)壁。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該配置于基板上表面的圖形化導(dǎo)電層是占該基板上表面面積的10-50％。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該圖形化導(dǎo)電層是配置于該基板上表面的周圍。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該圖形化導(dǎo)電層為格狀、螺旋、圓環(huán)、指叉、或其結(jié)合的結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該緩沖層的厚度是大于或等于該圖形化導(dǎo)電層。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該電極包含一透明電極、一金屬電極、或其組合。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，還包含：

一導(dǎo)線架，具有一第一電路及一第二電路，其中該絕緣基底配置于該導(dǎo)線架上，且該圖形化導(dǎo)電層與該第一電路電性接觸。

9.一種發(fā)光二極管裝置制造方法，包含：

提供一絕緣基底，該絕緣基底具有一上表面及一下表面；

形成一圖形化導(dǎo)電層于該絕緣基底的部分上表面；

形成一緩沖層于該絕緣基底未被該圖形化導(dǎo)電層所覆蓋的上表面；

形成一第一半導(dǎo)體層于該緩沖層之上；

形成一發(fā)光層于該第一半導(dǎo)體層之上；

形成一第二半導(dǎo)體層于該發(fā)光層之上；以及

形成一電極，配置于該第二半導(dǎo)體層之上。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管裝置制造方法，其特征在于，在形成該圖形化導(dǎo)電層的步驟中，該圖形化導(dǎo)電層是同時(shí)形成于該絕緣基底的側(cè)壁。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管裝置制造方法，其特征在于，在形成該圖形化導(dǎo)電層于該絕緣基底的部分上表面的步驟后，還包含：

形成一底導(dǎo)電層于該絕緣基底的部分下表面，并使該底導(dǎo)電層與該圖形化導(dǎo)電層電性接觸。

12.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管裝置制造方法，其特征在于，該配置于基板上表面的圖形化導(dǎo)電層是占該基板上表面面積的10-50％。

13.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管裝置制造方法，其特征在于，在形成該緩沖層的步驟中，該緩沖層是坦覆性形成在該絕緣基底的上表面，并覆蓋該圖形化導(dǎo)電層。

14.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管裝置制造方法，其特征在于，形成該電極的步驟包含：

形成一透明電極于該第二半導(dǎo)體層之上；以及

形成一金屬電極于該透明電極之上。

15.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管裝置制造方法，其特征在于，還包含：

提供一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架具有一第一電路及一第二電路；以及

將該絕緣基底固合于該導(dǎo)線架，使該圖形化導(dǎo)電層與該第一電路電性接觸。