[發明專利]有機電致發光顯示裝置無效
| 申請號: | 201110221725.X | 申請日: | 2011-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN102376742A | 公開(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發明(設計)人: | 坂口清文;角田乃亞;永山耕平 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 李穎 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及使用有機電致發光(EL)器件(有機發光二極管(OLED))的顯示裝置,更具體地,涉及使用可提高前方方向(front?direction)上的光利用效率的有機EL器件的顯示裝置。
背景技術
關于有機EL器件的一個問題是光發射效率低。為了提高有機EL器件的亮度,通常,需要必須采取諸如增大其自身發光(luminous)效率或使更大的電流通過該器件的措施。但是,就前者而言,技術上難以立即提高亮度,而對于后者而言,存在功耗增大并且劣化加速的問題。
另一方面,作為在維持低的驅動電流的同時提高有機EL器件的亮度的措施,將凸透鏡設置在光提取側以會聚光由此提高發射的光的利用效率的技術是已知的。日本專利公開No.2004-39500公開了以下的結構:在該結構中,由樹脂構成的透鏡陣列被設置在用于密封有機EL器件的氧化硅氮化物(SiNxOy)層上,使得可以提高照明方向上的光收集效率。
在根據日本專利公開No.2004-39500的有機EL器件中,通過會聚發射的光,沿前方方向會聚沿斜方向發射的光,并由此提高前方方向上的亮度。但是,斜方向上的亮度顯著降低,從而導致照射角度特性的劣化,這是一個問題。
發明內容
本發明提供在維持照射角度特性的同時提高光利用效率的有機EL顯示裝置。
根據本發明,有機電致發光顯示裝置包括透鏡陣列和多個有機電致發光器件,所述透鏡陣列包含用于各有機電致發光器件的光會聚透鏡部分。其中設置光會聚透鏡部分的區域和其中不設置光會聚透鏡部分的區域位于各有機電致發光器件的光發射區域上。光會聚透鏡部分的頂面與光發射區域重疊(overlie),并且,光會聚透鏡部分的一部分位于光發射區域外部。
根據本發明,由于光會聚透鏡部分被設置在有機EL器件的一部分上,因此,發射的光的一部分可被會聚,并且,發射的光的剩余部分可被直接發射。因此,能夠提供在維持斜視場的照射角度特性的同時具有高的前方亮度的顯示裝置。
參照附圖閱讀示例性實施例的以下描述,本發明的其它特征將變得清晰。
附圖說明
圖1A是表示根據本發明的實施例的有機EL顯示裝置中的像素的結構的示意性斷面圖,圖1B是圖1A所示的有機EL顯示裝置的頂部示意圖。
圖2是表示已知的有機EL顯示裝置的例子的像素結構的斷面示意圖。
圖3是表示根據本發明的有機EL顯示裝置中的透鏡陣列的效果的曲線圖。
圖4A是表示根據本發明的實施例的有機EL顯示裝置中的像素的結構的斷面示意圖,圖4B是圖4A所示的有機EL顯示裝置的頂部示意圖。
圖5A是表示根據比較實施例的有機EL顯示裝置中的像素的結構的斷面示意圖,用于解釋根據本發明的有機EL顯示裝置的效果,圖5B是圖5A所示的有機EL顯示裝置的頂部示意圖。
圖6A是表示根據比較實施例的有機EL顯示裝置中的像素的結構的斷面示意圖,用于解釋根據本發明的有機EL顯示裝置的效果,圖6B是圖6A所示的有機EL顯示裝置的頂部示意圖。
圖7是表示根據本發明的有機EL顯示裝置中的透鏡陣列的效果的曲線圖。
圖8是表示根據本發明的另一實施例的有機EL顯示裝置中的像素的結構的斷面示意圖。
圖9是表示根據本發明的另一實施例的有機EL顯示裝置中的像素的結構的斷面示意圖。
圖10是表示根據圖9所示的本發明的實施例的有機EL顯示裝置的一部分的斷面示意圖。
圖11A~11D是表示根據本發明的例子的有機EL顯示裝置的制造步驟的斷面示意圖。
圖12A~12E是表示根據本發明的另一例子的有機EL顯示裝置的制造步驟的斷面示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





