[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的生產方法

有效

• 申請號: 201110221660.9
• 申請日: 2010-08-17
• 公開（公告）號: CN102324404A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發明（設計）人: 奧山敦
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/488
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種半導體裝置，包括：

基板；

介電層，在所述基板的一側；

焊盤，在所述介電層的凹槽內；以及

其中，所述焊盤的至少露出的頂表面的區域由金屬材料制造，并且

絕緣層形成在另一個基板上，所述絕緣層與所述介電層相鄰。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中

配線連接到所述焊盤。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中

所述焊盤包含在所述介電層中。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其中

所述金屬材料在絕緣層中的擴散性低于所述配線在絕緣層中的擴散性。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述金屬材料為Au、Ag、Al、Ta、Ti、W、Sn、Mo、Ni、In、Co中的一種或它們中的任何種的合金。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述金屬材料是鋁或包含Al的合金。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述配線包含銅。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述焊盤的所述露出的頂表面與所述介電層的表面齊平。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其中整個所述焊盤由所述金屬制造。

10.一種半導體裝置，包括：

第一半導體基板；

第一介電膜，形成在所述第一半導體基板的表面上；

第一焊盤，形成所述第一基板上；

第二半導體基板；

第二介電膜，形成在所述第二半導體基板的表面上；

第二焊盤，形成在所述第二基板上，以及

其中，

所述第一基板和所述第二基板結合在一起，使所述第一焊盤的接觸區域電連接到所述第二焊盤的接觸區域。

11.如權利要求10所述的半導體裝置，還包括

電連接到所述第二焊盤的配線。

12.如權利要求11所述的半導體裝置，其中

所述第一焊盤和所述第二焊盤具有露出的接觸區域。

13.如權利要求12所述的半導體裝置，其中

所述第二焊盤的至少所述接觸區域由在所述第一介電膜中的擴散性低于所述配線在所述第一介電膜中的擴散性的金屬材料形成。

14.如權利要求10所述的半導體裝置，其中所述金屬材料延伸跨越所述第二焊盤的整個所述露出表面。

15.如權利要求10所述的半導體裝置，其中整個所述第二焊盤由所述金屬材料形成。

16.如權利要求10所述的半導體裝置，其中所述第二焊盤還包括在所述接觸區域下的基底區域，所述基底區域和所述配線由相同的材料形成。

17.如權利要求10所述的半導體裝置，還包括：

形成在所述第一基板上并且電連接到所述第一焊盤的配線，

其中，所述第一焊盤的至少所述接觸區域包含在所述第二介電膜中的擴散性低于所述第一基板的所述配線在所述第二介電膜中的擴散性的金屬材料。

18.如權利要求10所述的半導體裝置，其中整個所述第一焊盤由所述金屬材料制造。

19.如權利要求10所述的半導體裝置，其中所述第二焊盤的所述接觸區域大于所述第一焊盤的所述接觸區域。

20.如權利要求10所述的半導體裝置，其中所述第二焊盤的所述接觸區域的尺寸和所述第一焊盤的所述接觸區域的尺寸大致相同。