[發(fā)明專利]發(fā)光元件、發(fā)光裝置、照明裝置以及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110221584.1 | 申請日: | 2009-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN102255051A | 公開(公告)日: | 2011-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 能渡廣美;瀨尾哲史;大澤信晴;牛洼孝洋;筒井哲夫 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 吳娟;李炳愛 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 元件 裝置 照明 以及 電子設(shè)備 | ||
1.一種發(fā)光元件,包括:
陽極;
位于所述陽極上的第一EL層;
位于所述第一EL層上的第一層;
位于所述第一層上并與其接觸的第二層;
包含空穴傳輸性物質(zhì)和過渡金屬氧化物的第三層,所述第三層位于所述第二層上并與其接觸;
位于所述第三層上的第二EL層;以及
位于所述第二EL層上的陰極,
其中,所述第一層包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物中的至少一種,并且
所述第二層包含電子傳輸性物質(zhì)。
2.一種發(fā)光元件,包括:
陽極;
位于所述陽極上的第一EL層;
位于所述第一EL層上的第一層;
位于所述第一層上并與其接觸的第二層;
包含空穴傳輸性物質(zhì)和過渡金屬氧化物的第三層,所述第三層位于所述第二層上并與其接觸;
位于所述第三層上的第二EL層;以及
位于所述第二EL層上的陰極,
其中,所述第一層包含電子傳輸性物質(zhì)和施體物質(zhì),并且
所述第二層包含電子傳輸性物質(zhì)
3.一種發(fā)光元件,包括:
第一電極;
包括第一發(fā)光層和第二發(fā)光層的第一EL層,該第一EL層位于所述第一電極上;
位于所述第一EL層上的第一層;
位于所述第一層上并與其接觸的第二層;
包含空穴傳輸性物質(zhì)和過渡金屬氧化物的第三層,該第三層位于所述第二層上并與其接觸;
該第二EL層位于所述第三層上;以及
位于所述第二EL層上的第二電極,
其中,所述第一層包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物中的至少一種,
所述第二層包含電子傳輸性物質(zhì),并且
所述第一發(fā)光層的發(fā)射光譜與所述第二發(fā)光層的發(fā)射光譜不同。
4.一種發(fā)光元件,包括:
第一電極;
包括第一發(fā)光層和第二發(fā)光層的第一EL層,該第一EL層位于所述第一電極上;
位于所述第一EL層上的第一層;
位于所述第一層上并與其接觸的第二層;
包含空穴傳輸性物質(zhì)和過渡金屬氧化物的第三層,該第三層位于所述第二層上并與其接觸;
該第二EL層位于所述第三層上;以及
位于所述第二EL層上的第二電極,
其中,所述第一層包含電子傳輸性物質(zhì)和施體物質(zhì),
所述第二層包含電子傳輸性物質(zhì),并且
所述第一發(fā)光層的發(fā)射光譜與所述第二發(fā)光層的發(fā)射光譜不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的發(fā)光元件,其中,所述第三層是層疊包含空穴傳輸物質(zhì)的第一區(qū)域和包含過渡金屬氧化物的第二區(qū)域在其中層疊的層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件,其中,所述第一區(qū)域與所述第二EL層接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的發(fā)光元件,其中,在所述第三層中,過渡金屬氧化物相對于空穴傳輸性物質(zhì)的質(zhì)量比為0.1∶1至4.0∶1。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的發(fā)光元件,其中,所述過渡金屬氧化物是屬于元素周期表中的第四族至第八族的金屬的氧化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的發(fā)光元件,其中,所述過渡金屬氧化物是氧化鉬。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的發(fā)光元件,其中,所述第三層還包含7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷和/或氯醌。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的發(fā)光元件,其中,所述第一EL層的發(fā)射光譜與所述第二EL層的發(fā)射光譜不同
12.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的發(fā)光元件,其中,所述施體物質(zhì)相對于所述電子傳輸性物質(zhì)的質(zhì)量比為0.001∶1至0.1∶1。
13.包含權(quán)利要求1-4中任一項所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置、照明裝置和電子裝置,其選自:攝像機、護目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音回放裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、電子圖書、移動電話、圖像回放裝置和電視。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





