[發明專利]一種氧化鎢基電阻型存儲器的制備方法有效
| 申請號： | 201110221553.6 | 申請日： | 2011-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN102916128A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 林殷茵;劉易 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海元一成知識產權代理事務所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吳桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化鎢 電阻 存儲器 制備 方法 | ||
1.一種氧化鎢基電阻型存儲器的制備方法，所述氧化鎢基電阻型存儲器通過對互連后端結構的鎢栓塞氧化形成，所述鎢栓塞包括存儲陣列部分的鎢栓塞和邏輯部分的鎢栓塞，該制備方法包括以下步驟：
提供互連后端結構中鎢栓塞暴露的結構；
對所有暴露的鎢栓塞氧化以形成氧化鎢基阻變存儲介質層；
沉積上電極材料層以覆蓋所述氧化鎢基阻變存儲介質層；以及
構圖刻蝕所述上電極材料層以在所述存儲陣列部分的鎢栓塞上的氧化鎢基阻變存儲介質層之上形成上電極；
其特征在于，在所述刻蝕步驟中，設置所述上電極材料層的刻蝕工藝條件以使所述邏輯部分的鎢栓塞上的氧化鎢基阻變存儲介質在所述刻蝕步驟的過刻蝕過程中去除。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述刻蝕工藝條件下，刻蝕所述上電極材料的氣體同時刻蝕所述氧化鎢基阻變存儲介質層。
3.如權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述上電極為鋁、鋁銅合金、氮化鈦、鈦、鉿、鈷、鋯或者Ti/TiN復合層。
4.如權利要求1或2或3所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕工藝采用干法刻蝕，刻蝕氣體是Cl2、BCl3、CCl4或SiCl4。
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鎢栓塞用作所述氧化鎢基電阻型存儲器的下電極。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鎢基阻變存儲介質層為WOx，其中1＜x≤3。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鎢基阻變存儲介質層是先對下電極鎢硅化后再氧化形成。
8.如權利要求1或7所述的制備方法，其特征在于，所述氧化方法為含氧氣氛中氧化、通過氧等離子體氧化、或者通過離子注入方法氧化。
9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述硅化方法是通過含硅氣體中硅化、硅等離子體中硅化或硅的離子注入方法完成。
10.根據權利要求1或6所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鎢基阻變存儲介質層的厚度范圍為1納米至20納米。
11.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鎢栓塞為鋁互連或銅互連后端結構中的鎢栓塞。
12.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述過刻蝕的時間范圍為30秒至10分鐘。
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