[發明專利]靜電保護電路

有效

• 申請號: 201110221479.8
• 申請日: 2011-08-04
• 公開（公告）號: CN102280447A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 王釗;尹航;田文博
• 申請（專利權）人: 無錫中星微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 戴薇

1.一種芯片上的靜電保護電路，所述靜電保護電路包括壓焊區和設置于壓焊區下的靜電保護器件，其特征在于，所述壓焊區與所述靜電保護器件的部分區域共享芯片面積。

2.根據權利要求1所述的靜電保護電路，其特征在于，所述靜電保護器件為N型場效應晶體管、P型場效應晶體管或者可控硅整流器。

3.根據權利要求2所述的靜電保護電路，其特征在于，所述靜電保護器件包括柵極、源極、漏極和襯底，所述漏極位于所述壓焊區下以與所述壓焊區共享區域。

4.根據權利要求3所述的靜電保護電路，其特征在于，所述靜電保護電路所在的芯片具有一個金屬層，所述壓焊區位于所述金屬層中，所述漏極通過漏極接觸孔與所述壓焊區連接，所述源極和襯底通過接觸孔連接至所述金屬層對應的金屬上。

5.根據權利要求4所述的靜電保護電路，其特征在于，所述源極和襯底與金屬層中的同一片金屬連接。

6.根據權利要求5所述的靜電保護電路，其特征在于，所述靜電保護電路還包括位于芯片外邊緣的封閉環，連接所述源極和襯底的金屬在芯片外邊緣與所述封閉環上的金屬共享。

7.根據權利要求1所述的靜電保護電路，其特征在于，壓焊區金屬到其相鄰金屬的間距大于等于1.5um。

8.根據權利要求4所述的靜電保護電路，其特征在于，圍繞所述壓焊區形成有所述柵極，圍繞所述柵極形成有所述源極和所述襯底，所述漏極和所述源極之間形成有溝道，在溝道和所述柵極之間有氧化層。

9.根據權利要求8所述的靜電保護電路，其特征在于，

所述源極為N+有源區，所述襯底為P+有源區，

所述漏極由N+有源區、N型阱及阱中的P+有源區構成，所述N型阱中的P+有源區通過接觸孔與所述壓焊區金屬連接，所述漏極的N+有源區也通過接觸孔與所述壓焊區金屬連接，N型阱、源極的N+有源區、襯底的P+有源區形成于P型基底上，這樣N阱中的P+有源區、N阱、P型基底、源極N+有源區形成P-N-P-N結構。