[發(fā)明專(zhuān)利]存儲(chǔ)元件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110221477.9
• 申請(qǐng)日: 2011-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102376887A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 五十嵐実;荒谷勝久
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 褚海英;武玉琴

1.一種存儲(chǔ)元件，其包括：

第一電極和第二電極；

第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述第一電極側(cè)；

固體電解質(zhì)層，其包含可移動(dòng)離子并且設(shè)置于所述第二電極側(cè)；以及

第二導(dǎo)電型的非晶態(tài)半導(dǎo)體層，其在所述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層和所述固體電解質(zhì)層之間設(shè)置為與所述固體電解質(zhì)層接觸，并且當(dāng)對(duì)所述第一電極和所述第二電極施加電壓時(shí)，該非晶態(tài)半導(dǎo)體層可逆地變成第一導(dǎo)電型。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件，其中，通過(guò)在對(duì)所述第一電極和所述第二電極施加電壓時(shí)可移動(dòng)離子在所述固體電解質(zhì)層和所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層之間的移動(dòng)，改變所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層的導(dǎo)電型。

3.如權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層中的陷阱濃度大于或等于施主濃度或受主濃度。

4.如權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)元件，還包括設(shè)置于所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層之間的厚度為2nm以上的本征半導(dǎo)體層。

5.如權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)元件，其中，使所述固體電解質(zhì)層中包含的所述可移動(dòng)離子變得可移動(dòng)的溫度為300K以上，并且

在300K時(shí)所述固體電解質(zhì)層中的所述可移動(dòng)離子的濃度小于或等于所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層的陷阱濃度。

6.如權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層中的雜質(zhì)原子的濃度小于或等于所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層的陷阱濃度。

7.如權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)元件，還包括熱阻擋層，該熱阻擋層設(shè)置于所述第一電極與所述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層之間和/或所述第二電極與所述固體電解質(zhì)層之間。

8.如權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層包含硫族元素或所述硫族元素的合金。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述硫族元素為S、Se或Te。

10.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層由Ge_XTe_100-X制成，其中10≤X≤60。