[發(fā)明專利]一種肖特基結(jié)的單面電極晶體硅太陽能電池的制法

無效

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• 申請日: 2011-07-18
• 公開（公告）號: CN102891211A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設計）人: 劉瑩
• 申請（專利權(quán)）人: 劉瑩
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種肖特基結(jié)的單面電極晶體硅太陽能電池的制法，包括激光制絨，鍍受光面鈍化層，防反射層，鍍背光面鋁電極，激光摻雜，激光燒結(jié)背電場，激光劃線等，其特征在于

所述激光制絨包括激光制備絨面和化學溶液去除激光損傷層兩個步驟，以制備出尺寸盡量精確符合光學原理的絨面結(jié)構(gòu)；

所述激光摻雜是在真空環(huán)境中，在激光照射鍍有鋁電極材料的晶體硅表面以制備理想的柵狀或者梳狀肖特基結(jié)；

所述激光燒結(jié)背電場是以強激光燒結(jié)背電場，對鋁電極表面加熱，使其與硅片表面相結(jié)合形成背電場。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基結(jié)的單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，其激光制絨采用連續(xù)式綠激光器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的一種肖特基結(jié)的單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，去除工藝損傷層采用20％濃度的堿性溶液，在70-90℃下進行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基結(jié)的單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，在鍍鋁電極材料前，可以在本底真空條件下，采用工藝氣體為5％-10％的PH₃與H₂混合氣體，以強激光照射硅片背光面，進行N⁺整體摻雜以制備肖特基結(jié)的單面電極晶體硅太陽能電池的改進結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基結(jié)的單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，所述鍍背光面鋁電極中，采用真空蒸發(fā)或真空濺射來設置背電極材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1及權(quán)利要求5所述的一種肖特基結(jié)的單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于背面電極材料設置厚度在0.5-1.5μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基結(jié)的單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，以強激光對鍍有鋁電極的背光面進行選擇性照射，使其溫度升高至1200℃以上，以形成柵狀或者梳狀的PN結(jié)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基結(jié)的單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，采用連續(xù)式激光器對基片背面進行800-1000℃高溫燒結(jié)制背電場。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基結(jié)的單面電極晶體硅太陽能電池的制法的方法，其特征在于，在基片背光面進行激光劃線，將正負電極沿著肖特基PN結(jié)的分界線處刻斷，從而分開正負電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基結(jié)的單面電極晶體硅太陽能電池的制法的方法，其特征在于，此種方法所生產(chǎn)的太陽能電池基片厚度為40μm～100μm。?