[發(fā)明專利]一種單面電極晶體硅太陽能電池的制法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110221373.8
• 申請日: 2011-07-18
• 公開（公告）號: CN102891210A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設計）人: 劉瑩
• 申請（專利權）人: 劉瑩
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種單面電極晶體硅太陽能電池的制法，主要包括激光制絨，鍍鈍化防反射復合膜，激光摻雜，激光制背電極，其特征在于，

所述激光制絨包括激光制備絨面和化學溶液去除激光損傷層兩個步驟，以制備出尺寸盡量精確符合光學原理的絨面結構；

所述激光摻雜是在真空環(huán)境中，在摻雜工藝氣體氣氛下以激光照射需要摻雜的晶體硅表面以制備理想的柵狀或者梳狀PN結；

所述激光制背電極包括真空鍍背電極材料及激光燒結背電場工藝，以免接觸的方式制備其背電場。

2.根據權利要求1所述的一種單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，其激光制絨采用連續(xù)式綠激光器。

3.根據權利要求1所述的一種單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，去除工藝損傷層采用常規(guī)晶體硅制絨的初拋工藝，20％濃度的堿性溶液，在70-90℃下進行。

4.根據權利要求1所述的一種單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，若基片選用P型基片，工藝氣體為5％-10％的PH₃與H₂混合氣體，以強激光選擇性照射形成柵狀或者梳狀摻雜PN深結。

5.根據權利要求4所述的一種單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，若基片選用N型基片，工藝氣體選擇5％-10％的B₂H₆與H₂混合氣體，以強激光選擇性照射形成柵狀或者梳狀摻雜PN深結。

6.根據權利要求1、權利要求4及權利要求5所述的一種單面電極晶體硅太陽能電池的方法，其特征在于，在摻雜制備柵狀或者梳狀PN深結之前，可以先對P型基片以相同工藝進行P⁺整體淺摻雜，或者對N型基片以相同工藝進行N⁺整體淺摻雜。

7.根據權利要求6所述的一種單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，所述激光制背電極中，采用真空蒸發(fā)或者真空濺射來設置背電極材料。

8.根據權利要求1及權利要求7所述的一種單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，背面電極材料設置厚度在0.5-2.0μm。

9.根據權利要求1及權利要求7所述的一種單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于采用連續(xù)式激光器對基片背面進行800-1000℃高溫燒結制背電場。

10.根據權利要求1及權利要求7所述的一種單面電極晶體硅太陽能電池的制法，其特征在于，在基片背面進行激光劃線，將正負電極沿著PN結的分界線處刻斷，從而分開正負電極。