[發明專利]金屬層光刻的干法去膠返工方法有效
| 申請號： | 201110221213.3 | 申請日： | 2011-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN102914950A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 謝寶強;楊兆宇;趙志勇;楊杰 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/42 | 分類號： | G03F7/42;H01L21/311 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 光刻 干法去膠 返工 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬層光刻的干法去膠返工方法，包括下列步驟：
步驟A，提供一晶圓片，所述晶圓片包括表面的金屬層，所述金屬層表面設有光刻膠；
步驟B，通過靜電卡盤支撐所述晶圓片，所述靜電卡盤的頂針處于舉起狀態，所述晶圓片僅通過所述頂針與靜電卡盤接觸；
步驟C，使用干法去膠工藝去除所述光刻膠；
步驟D，再次對所述金屬層進行光刻。
2.根據權利要求1所述的金屬層光刻的干法去膠返工方法，其特征在于，所述干法去膠工藝中將所述晶圓片的溫度控制在180至200攝氏度。
3.根據權利要求1所述的金屬層光刻的干法去膠返工方法，其特征在于，所述步驟C的反應氣體包括氧氣和氮氣。
4.根據權利要求1所述的金屬層光刻的干法去膠返工方法，其特征在于，所述頂針的數量為3。
5.根據權利要求1所述的金屬層光刻的干法去膠返工方法，其特征在于，所述步驟C和步驟D之間還包括用濕法去除步驟C產生的聚合物的步驟。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫華潤上華科技有限公司，未經無錫華潤上華科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110221213.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：殺真菌的肟和腙
- 下一篇：苯并呋喃類內皮素受體拮抗劑及用途
