[發(fā)明專利]硅單晶生產(chǎn)方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110220823.1 | 申請日： | 2011-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN102373504A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 久府真一 | 申請（專利權(quán)）人： | 硅電子股份公司 |
| 主分類號： | C30B15/20 | 分類號： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 劉興鵬 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅單晶 生產(chǎn) 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種基于恰克拉斯基方法的硅單晶生產(chǎn)方法，包括以下步驟：
(1)在對坩堝中容納的原料熔體施加的水平磁場影響下，通過提升所述硅單晶而生長出所述硅單晶的直體區(qū)域，所述水平磁場在其磁中心處具有等于或大于1000高斯且等于或小于2000高斯的磁通量密度；
(2)在所述步驟(1)后，將所述硅單晶相對于所述熔體表面的相對提升速度降低至0毫米/分鐘；
(3)在所述步驟(2)后，維持所述硅單晶的相對提升速度保持為0毫米/分鐘的靜態(tài)直至所述硅單晶的視重量降低為止；
(4)在所述步驟(3)后，進(jìn)一步維持所述靜態(tài)，以使得所述硅單晶面向所述熔體的整個生長正面形成凸起形狀，該凸起形狀在與所述硅單晶的提升方向相反的方向上突出；以及
(5)在所述步驟(4)后，將所述硅單晶從所述熔體分離。
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