[發明專利]阻變存儲單元的編程方法無效
| 申請號： | 201110220576.5 | 申請日： | 2011-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN102915762A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 劉明;連文泰;龍世兵;呂杭炳;劉琦;謝常青 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G11C16/02 | 分類號： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲 單元 編程 方法 | ||
1.一種阻變存儲單元的編程方法，其特征在于，該方法包括：
施加置位信號于所述阻變存儲單元，在所述阻變存儲單元的上電極和下電極之間形成導電細絲，所述阻變存儲單元轉變為低阻態；
施加復位信號于所述阻變存儲單元，使所述導電細絲部分溶解，所述阻變存儲單元由低阻態轉變為高阻態；
再次施加置位信號于所述阻變存儲單元，所述部分溶解的導電細絲在所述置位信號的作用下，繼續生長，直至重新連接阻變存儲單元的上電極和下電極，所述阻變存儲單元由高阻態轉變為低阻態。
2.根據權利要求1所述的阻變存儲單元的編程方法，其特征在于，所述溶解導電細絲的長度占導電細絲總長度的比例介于1/4至1/2之間。
3.根據權利要求2所述的阻變存儲單元的編程方法，其特征在于，Vpart＝(1/2～3/4)Vall，其中，所述Vpart為使所述導電細絲部分溶解的復位信號電壓；所述Vall為使所述導電細絲全部溶解的復位信號電壓。
4.根據權利要求2所述的阻變存儲單元的編程方法，其特征在于，Tpart＝(2/4～3/4)Tall，其中，所述Tpart為使所述導電細絲部分溶解的復位信號脈沖寬度；所述Tall為使所述導電細絲全部溶解的復位信號脈沖寬度。
5.根據權利要求1所述的阻變存儲單元的編程方法，其特征在于，
所述阻變存儲單元包括：下電極；形成于所述下電極上的阻變材料層；形成與所述阻變材料層之上的上電極。
6.根據權利要求5所述的阻變存儲單元的編程方法，其特征在于，
所述阻變材料層的成分為以下材料中的一種或多種：ZrO；HfO；TiO；AlO；CuO；NiO；ZnO；MnO；SrZrO3；Pr1-xCaxMnO3，其中0≤x≤1。
7.根據權利要求5所述的阻變存儲單元的編程方法，其特征在于，所述上電極和下電極的成分為以下材料中的一種或多種：鉑、鎳、銅、金、鎢、鉻、釕、銥、鈷。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的阻變存儲單元的編程方法，其特征在于，所述置位信號的電壓范圍為0V至10V；所述復位信號的電壓范圍為0V至10V。
9.根據權利要求8所述的阻變存儲單元的編程方法，其特征在于，所述置位信號的脈沖寬度范圍為1ns至100μs，所述復位信號的脈沖寬度范圍為1ns至100μs。
10.根據權利要求1至7中任一項所述的阻變存儲單元的編程方法，其特征在于，該方法應用于單極性或雙極性阻變存儲單元。
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