[發明專利]射頻側向擴散金屬氧化物半導體器件及制備方法

有效

• 申請號: 201110220539.4
• 申請日: 2011-08-02
• 公開（公告）號: CN102280482A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 王玉東;付軍;吳正立;崔杰;趙悅;張偉;許平
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京中偉智信專利商標代理事務所 11325
• 代理人: 張岱

1.一種射頻側向擴散金屬氧化物半導體器件，包括：半導體襯底，設置在所述襯底上的外延層，設置在所述外延層上的漏區、側向擴散區和溝道區，設置在所述溝道區內的源區；所述溝道區和所述源區通過高摻雜低阻區與所述襯底相連；所述溝道區上由下至上依次設有柵介質層和柵電極，所述柵電極和所述側向擴散區上由下至上依次設有介質層和法拉第屏蔽結構層，其特征在于，所述源區和所述高摻雜低阻區上設有硅化物層。

2.根據權利要求1所述的射頻側向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述漏區上設有硅化物層，所述硅化物層由法拉第屏蔽結構金屬與硅材料經過退火反應形成。

3.根據權利要求1所述的射頻側向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于：在沿所述柵電極至所述漏區的方向上所述法拉第屏蔽結構層與所述側向擴散區上表面的距離增加。

4.根據權利要求1所述的射頻側向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述法拉第屏蔽結構層包括2層或3層，在位于所述側向擴散區上方的區域內所述法拉第屏蔽結構層相互連接。

5.一種射頻側向擴散金屬氧化物半導體器件制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

制備第一導電型材質的半導體襯底；

在所述襯底上制備第一導電型材質的外延層；

在所述外延層上制備依次連接的漏區、側向擴散區和溝道區；

在所述溝道區上制備源區；

制備連接所述襯底、所述溝道區和所述源區的高摻雜低阻區；

在所述溝道區上制備柵介質層，在所述柵介質層上制備柵電極；

在所述高摻雜低阻區、源區、柵電極、側向擴散區和漏區上淀積孔介質層；

在高摻雜低阻區、部分源區和/或部分漏區處光刻、刻蝕出孔；

器件表面整體淀積一層導電金屬層，光刻并刻蝕，保留孔中的金屬層和法拉第屏蔽結構層；

退火，孔中金屬與半導體形成金屬硅化物。

6.根據權利要求5所述的射頻側向擴散金屬氧化物半導體器件制備方法，其特征在于，在所述法拉第屏蔽結構層上再制備一層或兩層法拉第屏蔽結構層。