[發明專利]具有高運算反應速度的絕緣柵雙載子晶體管

無效

• 申請號: 201110220519.7
• 申請日: 2011-08-01
• 公開（公告）號: CN102593166A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 林永發;徐守一;吳孟韋;陳面國;石逸群
• 申請（專利權）人: 茂達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種具有高運算反應速度的絕緣柵雙載子晶體管，其包含：一個集極結構、一個漂移區、一個柵極結構，以及一個第一射極結構，該集極結構成第一電性，該漂移區成相反于該第一電性的第二電性并實體接觸該集極結構，該柵極結構包括一層導電層，及一層隔離該導電層和該漂移區的介電層，該第一射極結構包括一個成第一電性并實體接觸該漂移區和該柵極結構的介電層的井區、一個成第二電性并位于該井區中的源極區，及一個實體接觸該井區及該源極區并用于對外電連接的第一接觸插塞；其特征在于：其還包含一個第二射極結構，該第二射極結構包括一個成第一電性且實體接觸該漂移區的分流區，及一個實體接觸該分流區并可對外電連接的第二接觸插塞，該分流區借該漂移區不實體接觸該第一射極結構的井區和源極區。

2.如權利要求1所述的具有高運算反應速度的絕緣柵雙載子晶體管，其特征在于：其還包含一個基極結構，該基極結構包括一個成第二電性并實體接觸該漂移區的加速區，該加速區的主要載子濃度大于該漂移區的主要載子濃度。

3.如權利要求2所述的具有高運算反應速度的絕緣柵雙載子晶體管，其特征在于：該基極結構還包括一個實體接觸該加速區并用于對外電連接的第三接觸插塞。

4.如權利要求3所述的具有高運算反應速度的絕緣柵雙載子晶體管，其特征在于：該第二接觸插塞具有一層實體接觸該分流區的附著膜，及一個設置于該附著膜上的金屬巨量體。

5.如權利要求4所述的具有高運算反應速度的絕緣柵雙載子晶體管，其特征在于：該分流區的主要載子濃度不大于該集極結構的主要載子濃度。

6.如權利要求5所述的具有高運算反應速度的絕緣柵雙載子晶體管，其特征在于：該井區的主要載子濃度不大于該集極結構的主要載子濃度。

7.如權利要求6所述的具有高運算反應速度的絕緣柵雙載子晶體管，其特征在于：該第一射極結構的井區具有一個成第一電性且實體接觸該第一接觸插塞的加強部。

8.如權利要求7所述的具有高運算反應速度的絕緣柵雙載子晶體管，其特征在于：該第一射極結構的源極區的主要載子濃度不小于該漂移區的主要載子濃度。

9.如權利要求8所述的具有高運算反應速度的絕緣柵雙載子晶體管，其特征在于：該集極結構、該井區，與該分流區為p型，該源極區與該加速區為n型。

10.如權利要求8所述的具有高運算反應速度的絕緣柵雙載子晶體管，其特征在于：該集極結構、該井區，與該分流區為n型，該源極區與該加速區為p型。