[發(fā)明專利]存儲器的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110219524.6
• 申請日: 2011-07-27
• 公開（公告）號: CN102903622A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖修漢;蔣汝平
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/8247
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;鄭特強

1.一種存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底，該基底包括一存儲胞區(qū)與一周邊區(qū)，該存儲胞區(qū)形成多個第一柵極，所述多個第一柵極之間具有多個第一開口；

于該存儲胞區(qū)的該基底上形成一氮化層，該氮化層覆蓋所述多個第一柵極與所述多個第一開口；

于該周邊區(qū)的該基底上形成一氧化層；

進行一氮化工藝，使該氧化層被氮化成一氮化氧化層；以及

于該基底上形成一導(dǎo)體層，該導(dǎo)體層包括位于該存儲胞區(qū)的該基底上的一覆蓋層，以及位于該周邊區(qū)的該基底上的多個第二柵極，其中該覆蓋層覆蓋該氮化層且填滿所述多個第一開口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，還包括：

于該基底上形成一阻障層，以覆蓋該周邊區(qū)的所述多個第二柵極以及該存儲胞區(qū)的該覆蓋層；

于該周邊區(qū)的該基底上形成一第一材料層；

移除該存儲胞區(qū)的部分該阻障層與部分該覆蓋層，以形成多個第二開口，各該第二開口暴露各該第一柵極的頂部；

于各該第二開口中形成一第一圖案；

移除剩余的該覆蓋層，以于該存儲胞區(qū)形成多個接觸窗開口；以及

于各該接觸窗開口中形成一接觸窗插塞，其中所述第一圖案配置于所述接觸窗插塞之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，還包括于各該第一柵極與該基底之間形成一柵介電層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，在形成該氮化層之前，還包括于各該第一柵極的側(cè)壁上形成一間隙壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，在形成該氮化層之前，還包括于各該第一柵極的兩側(cè)形成一源極與漏極區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，該氮化工藝包括一去耦等離子體氮化工藝、一后氮化退火工藝或一氮離子注入工藝。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)體層的材料包括未摻雜多晶硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，還包括于各該第二柵極的側(cè)壁上形成一間隙壁。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，還包括于各該第二柵極的兩側(cè)形成一摻雜區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器的制造方法，其特征在于，還包括對各該第二柵極與各該摻雜區(qū)進行一硅化金屬工藝。