[發明專利]覆晶裝置無效
| 申請號： | 201110219510.4 | 申請日： | 2011-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN102738088A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發明（設計）人： | 許慶龍;汪志昭 | 申請（專利權）人： | 瑞鼎科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;祁建國 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 裝置 | ||
1.一種覆晶裝置，其特征在于，包含：
一第一基板，具有一表面以及凸出所述表面的至少一凸塊；
一第二基板，具有至少一導線；以及
一介質層，具有一預設高度，所述第一基板與所述第二基板之間形成一絕緣空間，且所述介質層環繞所述絕緣空間。
2.根據權利要求1所述的覆晶裝置，其中所述第一基板選自晶片及半導體線路板。
3.根據權利要求1所述的覆晶裝置，其中所述第二基板選自玻璃線路板、電路薄膜、面板、軟性電路板及印刷電路板。
4.根據權利要求1所述的覆晶裝置，其中所述介質層為異方性導電接合膠膜。
5.根據權利要求1所述的覆晶裝置，其中所述介質層電性連接所述凸塊及所述導線，且所述介質層設置于所述凸塊及所述導線之間。
6.一種覆晶裝置，其特征在于，包含：
一第一基板，具有一表面以及凸出所述表面的多個凸塊，所述凸塊沿所述表面的邊緣間隔排列；
一第二基板，具有至少一導線，所述凸塊的部分投影面積位于所述導線內；以及
一介質層，具有一預設高度，所述第一基板與所述第二基板之間形成一絕緣空間，且所述介質層環繞所述絕緣空間，而所述介質層的表面積重疊于所述凸塊的投影面積。
7.根據權利要求6所述的覆晶裝置，其中所述第一基板選自晶片及半導體線路板。
8.根據權利要求6所述的覆晶裝置，其中所述第二基板選自玻璃線路板、電路薄膜、面板、軟性電路板及印刷電路板。
9.根據權利要求6所述的覆晶裝置，其中所述介質層為異方性導電接合膠膜。
10.根據權利要求6所述的覆晶裝置，其中所述介質層電性連接所述凸塊及所述導線，且所述介質層設置于所述凸塊及所述導線之間。
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