[發明專利]高亮度發光二極管

有效

• 申請號: 201110219433.2
• 申請日: 2011-07-28
• 公開（公告）號: CN102569572A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 黃坤富;張峻榮;郭奇文;陳俊榮;方國龍;趙志偉
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張龍哺;馮志云

1.一種高亮度發光二極管，其特征在于包含：

一基板，該基板上形成有一上鍍化層；

一導體層，設置于該上鍍化層上方；

一第一半導體層，設置于該導體層上；

一發光層，設置于該第一半導體層上；

一第二半導體層，設置于該發光層上；

一第一電極，與該導體層電性連接；

一第二電極，具有相對的二端部，該第二電極穿越該導體層、該第一半導體層及該發光層，并以二該端部分別與該上鍍化層及該第二半導體層電性連接；以及

一絕緣結構，包含至少二保護層，該至少二保護層環周式地裹覆該第二電極，使該第二電極與該導體層、該第一半導體層及該發光層電性絕緣，各該保護層的厚度值分別相等于反射頻譜中心波長數值除以各該保護層的四倍折射率數值所得的商數數值。

2.如權利要求1所述的高亮度發光二極管，其特征在于該第一半導體層為N型半導體，該第二半導體層為P型半導體；或該第一半導體層為P型半導體，該第二半導體層為N型半導體。

3.如權利要求2所述的高亮度發光二極管，其特征在于該第二電極的截面為自該鍍化層朝第二半導體層漸縮而呈一尖錐狀。

4.如權利要求3所述的高亮度發光二極管，其特征在于更包含一下鍍化層，該下鍍化層相對于該上鍍化層設置于基板的一底面，且固接于一導線架。

5.如權利要求1所述的高亮度發光二極管，其特征在于該發光層為多重量子阱結構。

6.一種高亮度發光二極管，其特征在于包含：

一基板，該基板上形成有一上鍍化層；

一導體層，設置于該上鍍化層上方；

一第一半導體層，設置于該導體層上；

一發光層，設置于該第一半導體層上；

一第二半導體層，設置于該發光層上；

一第一電極，與該導體層電性連接；

一第二電極，具有相對的二端部，該第二電極穿越該導體層、該第一半導體層及該發光層，并以二該端部分別與該上鍍化層及該第二半導體層電性連接；以及

一絕緣結構，包含一反射層及一保護層，該反射層直接裹覆該第二電極，而該保護層裹覆該反射層，使該第二電極與該導體層、該第一半導體層及該發光層電性絕緣，該保護層的厚度值相等于反射頻譜中心波長數值除以該保護層的四倍折射率數值所得的商數數值。

7.如權利要求6所述的高亮度發光二極管，其特征在于該第一半導體層為N型半導體，該第二半導體層為P型半導體；或該第一半導體層為P型半導體，該第二半導體層為N型半導體。

8.如權利要求7所述的高亮度發光二極管，其特征在于該反射層的材料選自銀、鋁及其組合所組成的群組。

9.如權利要求8所述的高亮度發光二極管，其特征在于該第二電極的截面為自該鍍化層朝第二半導體層漸縮而呈一尖錐狀。

10.如權利要求9所述的高亮度發光二極管，其特征在于更包含一下鍍化層，該下鍍化層相對于該上鍍化層設置于基板的一底面，且固接于一導線架。