[發明專利]圖形化基板的制造方法無效
| 申請號： | 201110219382.3 | 申請日： | 2011-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN102610710A | 公開（公告）日： | 2012-07-25 |
| 發明（設計）人： | 梁文燈 | 申請（專利權）人： | 隆達電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 馮志云;邢雪紅 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖形 化基板 制造 方法 | ||
1.一種圖形化基板的制造方法，其特征在于包含下列步驟：
(a)提供一基板，該基板具有一上表面；
(b)于該基板的該上表面沉積一金屬層；
(c)升高溫度至使該金屬層聚集形成多個金屬粒分布于上表面，同時使該基板的部分該上表面未被所述多個金屬粒遮住而露出；以及
(d)通入反應氣體，使所述多個金屬粒與該反應氣體化合，于該上表面形成圖形化結構。
2.一種圖形化基板的制造方法，其特征在于包含下列步驟：
(a)提供一基板，該基板具有一上表面；
(b)升高溫度至600～900℃且通入三甲基鋁，以于該基板的該上表面形成一鋁層；
(c)停止通入三甲基鋁，且保持溫度于600～900℃至使該鋁層聚集成為多個鋁粒，分布于該上表面；以及
(d)通入反應氣體，使所述多個鋁粒與該反應氣體化合，于該上表面形成圖形化結構。
3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于該基板為一藍寶石基板，該反應氣體為氧氣、氨氣或氮氣，且步驟(b)包含下述步驟：
(b1)升高溫度至600～900℃；以及
(b2)以1～200毫升/分的速率通入三甲基鋁10～120秒，以于該基板的該上表面形成該鋁層。
4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于步驟(d)包含下述步驟：
(d1)持溫600～900℃；以及
(d2)通入氧氣1～120秒，使所述多個鋁粒與該反應氣體化合，于該基板的該上表面形成多晶氧化鋁。
5.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于步驟(d)包含下述步驟：
(d1’)升溫至1100～1300℃；以及
(d2’)通入氧氣10～1800秒，使所述多個鋁粒與該反應氣體化合，于該基板的該上表面形成單晶氧化鋁。
6.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于步驟(d)包含下述步驟：
(d1”)持溫600～900℃；以及
(d2”)通入氨氣或氮氣10～1800秒，使所述多個鋁粒與該反應氣體化合，于該基板的該上表面形成單晶氮化鋁。
7.一種圖形化基板的制造方法，其特征在于包含下列步驟：
(a)提供一基板，該基板具有一上表面；
(b)于該基板的該上表面鍍設一金屬層；
(c)升高溫度以使該金屬層形成為不規則圖形金屬粒，分布于該上表面；以及
(d)通入反應氣體，使該不規則圖形金屬粒與該反應氣體化合，于該上表面形成圖形化結構。
8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于該基板為一藍寶石基板，該金屬層為一鋁層，該反應氣體為氧氣、氨氣或氮氣。
9.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于步驟(c)包含下述步驟：
(c1)升高溫度至200～900℃之間；以及
(c2)保持200～900℃的溫度1～400分，以使該金屬層形成為不規則圖形金屬粒，分布于該上表面。
10.如權利要求9所述的制造方法，其特征在于步驟(d)包含下述步驟：
(d1)升高溫度至1100～1300℃；以及
(d2)通入氧氣1～1440分鐘，使不規則圖形金屬粒與該反應氣體化合，于該基板的該上表面形成單晶氧化鋁。
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