[發明專利]成膜裝置以及成膜方法

無效

• 申請號: 201110219275.0
• 申請日: 2011-07-28
• 公開（公告）號: CN102376549A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 軍司勛男
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;C23C16/455
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉;舒艷君

1.一種成膜裝置，其特征在于，具備：

處理容器，該處理容器收納基板；

基板保持器，該基板保持器將基板保持在上述處理容器內的上部；

第一加熱器，該第一加熱器對保持在上述基板保持器的基板進行加熱；

原料支承部，該原料支承部與保持在上述基板保持器的基板對置地被配置在該基板保持器的下方；

第二加熱器，該第二加熱器對支承在上述原料支承部的固體原料進行加熱；

氣體供給單元，該氣體供給單元用于向上述處理容器內供給與上述固體原料反應而生成成膜原料氣體的氣化促進氣體；以及

排氣單元，該排氣單元用于將上述處理容器內保持為真空，其中

使在上述處理容器內生成的上述成膜原料氣體在基板表面上熱分解從而進行成膜。

2.一種成膜裝置，其特征在于，具備：

處理容器，該處理容器收納基板；

基板保持器，該基板保持器將基板保持在上述處理容器內的上部；

第一加熱器，該第一加熱器對保持在上述基板保持器的基板進行加熱；

原料支承部，該原料支承部與保持在上述基板保持器的基板對置地被配置在該基板保持器的下方；

第二加熱器，該第二加熱器對支承在上述原料支承部的固體原料進行加熱；以及

排氣單元，該排氣單元用于將上述處理容器內保持為真空，其中

使通過對上述固體原料進行加熱而在上述處理容器內生成的氣化氣體在基板表面上熱分解從而進行成膜。

3.根據權利要求1或2所述的成膜裝置，其特征在于，

上述基板保持器將基板保持成，使基板的下表面成為進行成膜處理的被處理面。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的成膜裝置，其特征在于，

上述固體原料在被收納到上方開放的盤型容器內后被支承在上述原料支承部。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的成膜裝置，其特征在于，

在上述處理容器的上部設有與上述排氣單元連接的排氣部。

6.根據權利要求5所述的成膜裝置，其特征在于，

在上述處理容器的下部設有與上述氣體供給單元連接的氣體導入部。

7.根據權利要求5所述的成膜裝置，其特征在于，

在上述處理容器的側部設有與上述氣體供給單元連接的氣體導入部。

8.一種成膜方法，其特征在于，

該成膜方法使用成膜裝置，該成膜裝置具備：

處理容器，該處理容器收納基板；

基板保持器，該基板保持器將基板保持在上述處理容器內的上部；

第一加熱器，該第一加熱器對保持在上述基板保持器的基板進行加熱；

原料支承部，該原料支承部與保持在上述基板保持器的基板對置地被配置在該基板保持器的下方；

第二加熱器，該第二加熱器對支承在上述原料支承部的固體原料進行加熱；

氣體供給單元，該氣體供給單元用于向上述處理容器內供給氣體；以及

排氣單元，該排氣單元用于將上述處理容器內保持為真空，

該成膜方法具備：

向上述處理容器內搬入固體原料，并將該固體原料配置于上述原料支承部的工序；

向上述處理容器內搬入基板并利用上述基板保持器保持該基板的工序；以及

將由上述原料支承部支承的固體原料，一邊利用上述第二加熱器進行加熱，一邊與由上述氣體供給單元導入到上述處理容器內的其他氣化促進氣體反應，將生成的成膜原料氣體供給到上述基板的表面并使該成膜原料氣體熱分解從而進行成膜的工序。