[發明專利]一種高效抗輻射激光晶體及制備方法

無效

• 申請號: 201110218843.5
• 申請日: 2011-08-02
• 公開（公告）號: CN102277620A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 孫敦陸;張慶禮;羅建喬;劉文鵬;谷長江;秦清海;李為民;韓松;江海河;殷紹唐
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: C30B29/22
• 分類號: C30B29/22;C30B27/02
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251
• 代理人: 成金玉

1.一種高效抗輻射激光晶體，其特征在于：所述晶體的化學式為：Yb³⁺，Ho³⁺:Gd₃Sc₂Ga₃O₁₂，分子式為Yb_3xHo_3yGd_3(1-x-y)Sc₂Ga₃O₁₂，其中0＜x＜1，0＜y＜1。

2.根據權利要求書1所述的高效抗輻射激光晶體，其特征在于：所述分子式Yb_3xHo_3yGd_3(1-x-y)Sc₂Ga₃O₁₂中，Yb³⁺離子的摻雜濃度范圍是5at％-20at％，即0.05＜x＜0.2；Ho³⁺離子的摻雜濃度范圍是0.5at％-5at％，即0.005＜y＜0.05，其中at％表示原子百分比。

3.根據權利要求書1所述的高效抗輻射激光晶體，其特征在于：所述激光晶體以抗輻射晶體GSGG為基質。

4.根據權利要求書1所述的高效抗輻射激光晶體，其特征在于：所述晶體使用中心波長在940nm、970nm或980nm附近的25W的較大功率的半導體激光器作為泵浦源。

5.按照權利要求1所述的高效抗輻射激光晶體的制備方法，其特征在于采用下述方法之一實現：

①固相法或液相法制備多晶原料

按照下列化學反應式：

3xYb₂O₃+3yHo₂O₃+3(1-x-y)Gd₂O₃+2Sc₂O₃+3Ga₂O₃＝2Yb_3xHo_3yGd_3(1-x-y)Sc₂Ga₃O₁₂，其中x＝0.05-0.2，y＝0.005-0.05，通過固相反應法或液相法制得Yb，Ho:GSGG多晶原料；

②熔體法生長單晶

使用上述固相法或液相法制備的Yb，Ho:GSGG多晶原料，采用熔體法制備Yb，Ho:GSGG單晶。