[發(fā)明專利]石墨烯的圖形化方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110218695.7
• 申請(qǐng)日: 2011-08-01
• 公開（公告）號(hào): CN102263013A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李鐵;王文榮;王躍林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.石墨烯的圖形化方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)在襯底上制作出溝槽形成所需圖形；

2)制備大面積石墨烯薄膜并轉(zhuǎn)移到溶液中；

3)將石墨烯薄膜從溶液中轉(zhuǎn)移到具有溝槽圖形的襯底上；

4)烘干直至石墨烯薄膜在溝槽上斷裂，從而得到所需要的圖形化石墨烯。

2.如權(quán)利要求1所述的石墨烯的圖形化方法，其特征在于，所述步驟1)中的所需圖形為線形、圓形、矩形、正方形、多邊形、梳齒形及其組合。

3.如權(quán)利要求1所述的石墨烯的圖形化方法，其特征在于，所述步驟1)中的襯底為硅片、氧化硅片、陶瓷、玻璃或SOI片。

4.如權(quán)利要求1所述的石墨烯的圖形化方法，其特征在于，所述步驟1)中的溝槽的深寬比＞1.1。

5.如權(quán)利要求1所述的石墨烯的圖形化方法，其特征在于，所述步驟1)中的溝槽側(cè)壁橫截面為直角、弧形或斜坡。

6.如權(quán)利要求1所述的石墨烯的圖形化方法，其特征在于，所述步驟1)中溝槽是采用深反應(yīng)離子刻蝕、微切割技術(shù)或濕法腐蝕方法形成。

7.如權(quán)利要求1所述的石墨烯的圖形化方法，其特征在于，所述步驟2)中的溶液為去離子水、酒精、丙酮、四氯化碳或異丙醇。

8.如權(quán)利要求1所述的石墨烯的圖形化方法，其特征在于，所述步驟2)中石墨烯薄膜為剝離后或者利用化學(xué)氣相沉積(CVD)生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移下來的無支撐薄膜樣品。

9.如權(quán)利要求1所述的石墨烯的圖形化方法，其特征在于，所述步驟3)具體是指將圖形化的襯底直接在溶液中撈取漂浮的石墨烯薄膜，使石墨烯定位在襯底圖形表面。

10.如權(quán)利要求1所述的石墨烯的圖形化方法，其特征在于，所述步驟4)中的烘干是指30-400℃的溫度下烘干5-60min。