[發明專利]化學機械研磨方法有效
| 申請號： | 201110218623.2 | 申請日： | 2011-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN102909646A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 邵群;王慶玲 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/00 | 分類號： | B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化學 機械 研磨 方法 | ||
1.一種化學機械研磨方法，用于提高固定顆粒研磨墊的研磨效果，包括：
利用固定顆粒研磨墊研磨去除晶圓上的第一待研磨層；
檢測所述晶圓的研磨效果，選出具有研磨殘留的晶圓；
在所述具有研磨殘留的晶圓上覆蓋第二待研磨層，所述第二待研磨層的材質與所述第一待研磨層的材質相同；
利用所述固定顆粒研磨墊研磨去除所述第二待研磨層及所述研磨殘留。
2.如權利要求1所述的化學機械研磨方法，其特征在于，在利用所述固定顆粒研磨墊研磨去除晶圓上的第二待研磨層及所述研磨殘留的步驟中，所述固定顆粒研磨墊的研磨速率逐漸提高，最后達到一穩定值。
3.如權利要求2所述的化學機械研磨方法，其特征在于，所述穩定值為300～1500埃/分鐘。
4.如權利要求1所述的化學機械研磨方法，其特征在于，所述第二待研磨層的厚度小于所述第一待研磨層的厚度。
5.如權利要求4所述的化學機械研磨方法，其特征在于，所述第二待研磨層的厚度50～1000埃。
6.如權利要求1所述的化學機械研磨方法，其特征在于，所述第一待研磨層為淺溝槽隔離氧化層、銅層、鎢層、鍺銻碲層或金屬柵極介質層。
7.如權利要求1所述的化學機械研磨方法，其特征在于，在利用所述固定顆粒研磨墊研磨去除晶圓上的第一待研磨層的步驟中，還包括向所述固定顆粒研磨墊和所述第一待研磨層之間流入化學液。
8.如權利要求1所述的化學機械研磨方法，其特征在于，在利用所述固定顆粒研磨墊研磨去除所述第二待研磨層及所述研磨殘留的步驟中，還包括向所述固定顆粒研磨墊和所述第二待研磨層之間流入化學液。
9.如權利要求7或8中所述的化學機械研磨方法，其特征在于，所述化學液中含有高分子添加劑。
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