[發(fā)明專利]在基板中嵌入金屬材料的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110218552.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-08-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102915949A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于大全;孫瑜;戴風(fēng)偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L21/768 | 分類號(hào): | H01L21/768 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 100029 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板中 嵌入 金屬材料 方法 | ||
1.一種在基板中嵌入金屬材料的方法,其特征在于,該方法包括:
在基板上制作孔或槽;
在所述孔或槽中填充所述金屬材料的粉料或漿料;
利用微區(qū)瞬時(shí)加熱裝置加熱所述孔或槽的區(qū)域,使所述孔或槽中填充的金屬材料燒結(jié);
冷卻固化所述孔或槽的區(qū)域,使所述金屬材料呈塊狀嵌入到所述基板中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在基板中嵌入金屬材料的方法,其特征在于,所述在孔或槽中填充金屬材料的粉料或漿料的步驟之前還包括:
在所述孔或槽的內(nèi)壁形成用于增加所述金屬材料與所述基板潤(rùn)濕性和絕緣性的涂層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的在基板中嵌入金屬材料的方法,其特征在于,所述涂層的材料為以下材料中的一種:氧化物層或玻璃材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的在基板中嵌入金屬材料的方法,其特征在于,所述在孔或槽的內(nèi)壁形成氧化物涂層的方法為熱氧化、物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在基板中嵌入金屬材料的方法,其特征在于,所述利用微區(qū)瞬時(shí)加熱裝置加熱孔或槽的區(qū)域的步驟同時(shí)還包括:
利用惰性氣體保護(hù)所述被加熱的孔或槽的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在基板中嵌入金屬材料的方法,其特征在于,所述金屬材料為以下材料中的一種或由以下材料中的兩種或兩種以上構(gòu)成的合金:鎳,鐵,銅,鋁,鉑,金,鈀,鈦,鎢或銀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的在基板中嵌入金屬材料的方法,其特征在于,所述金屬材料的粉料為金屬材料的粒度小于20μm的粉末或納米級(jí)顆粒;所述金屬材料的漿料為所述金屬材料的導(dǎo)體電子漿料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在基板中嵌入金屬材料的方法,其特征在于,所述微區(qū)瞬時(shí)加熱裝置為激光器或等離子體火炬。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的在基板中嵌入金屬材料的方法,其特征在于,所述利用微區(qū)瞬時(shí)加熱裝置加熱孔或槽的區(qū)域的步驟中:
所述微區(qū)瞬時(shí)加熱裝置與所述孔或槽位于所述基板的同側(cè)或兩側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在基板中嵌入金屬材料的方法,其特征在于,所述基板為玻璃基板、陶瓷基板或硅基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的在基板中嵌入金屬材料的方法,其特征在于,所述冷卻固化孔或槽的區(qū)域,使金屬材料呈塊狀嵌入到基板中的步驟之后還包括:
利用機(jī)械研磨減薄結(jié)合機(jī)械拋光,或機(jī)械研磨減薄結(jié)合化學(xué)機(jī)械拋光,使所述基板減薄到所需厚度,并使嵌入到基板中的塊狀金屬材料的兩端暴露出來(lái)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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