[發(fā)明專利]真空對(duì)盒設(shè)備及對(duì)盒系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110218359.2
• 申請(qǐng)日: 2011-08-01
• 公開（公告）號(hào): CN102654668A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳柄宇;唐歡;劉英;張千
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1333
• 分類號(hào): G02F1/1333;B25J19/00
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶面板制造領(lǐng)域，尤其涉及一種真空對(duì)盒設(shè)備及對(duì)盒系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在液晶面板的制造過程中，將液晶面板的陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對(duì)盒時(shí)，常常會(huì)在液晶層中出現(xiàn)氣泡等不良，嚴(yán)重影響了液晶面板的質(zhì)量和成品率。并且氣泡的產(chǎn)生過程無法監(jiān)測(cè)，這給工藝的改善造成了很大的障礙。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于提供一種真空對(duì)盒設(shè)備，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)液晶擴(kuò)散過程的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，從而改善液晶面板的生產(chǎn)工藝，提高成品率。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

一種真空對(duì)盒設(shè)備，包括：上基板、與所述上基板相對(duì)設(shè)置的下基板和信號(hào)處理裝置，所述上基板的與所述下基板相對(duì)的面上設(shè)置有電極片，所述電極片覆蓋整個(gè)所述上基板，所述下基板的與所述上基板相對(duì)的面上設(shè)置有電極陣列，所述電極陣列的多個(gè)電極單元與所述信號(hào)處理裝置相連接。

所述信號(hào)處理裝置包括二維建模單元，用于將來自所述電極陣列的電信號(hào)轉(zhuǎn)換為液晶擴(kuò)散模擬圖像。

所述電極陣列的多個(gè)電極單元為多個(gè)微型電極片。

所述的真空對(duì)盒設(shè)備還包括電源模塊，用于給所述真空對(duì)盒設(shè)備提供電源，以使所述電極片與所述電極陣列的多個(gè)電極單元之間形成電容。

所述的真空對(duì)盒設(shè)備還包括顯示裝置，用于顯示所述液晶擴(kuò)散模擬圖像。

所述上基板和下基板上設(shè)置有真空吸附孔。

一種對(duì)盒系統(tǒng)，包括上述的真空對(duì)盒設(shè)備，所述對(duì)盒系統(tǒng)用于根據(jù)所述液晶擴(kuò)散模擬圖像調(diào)整對(duì)盒的工藝參數(shù)。

所述對(duì)盒的工藝參數(shù)包括：液晶量、液晶間距、液晶溫度和對(duì)盒壓力。

本發(fā)明實(shí)施例的真空對(duì)盒設(shè)備及對(duì)盒系統(tǒng)，在上基板的與下基板相對(duì)的面上設(shè)置電極片，在下基板的與上基板相對(duì)的面上設(shè)置電極陣列，當(dāng)給上基板的電極片和下基板的電極陣列充電時(shí)，電極片與電極陣列形成電容，液晶擴(kuò)散的過程中，上基板和下基板之間在有液晶和沒有液晶時(shí)電容值是不同的，電容值變化會(huì)引起下基板的電極陣列產(chǎn)生變化的電流，這樣就將上基板和下基板之間有無液晶的變化轉(zhuǎn)換為了電流的變化，也就是將液晶的擴(kuò)散過程轉(zhuǎn)換為了電信號(hào)的變化，實(shí)現(xiàn)了對(duì)液晶擴(kuò)散過程的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例真空對(duì)盒設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例真空對(duì)盒設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖之二。

附圖標(biāo)記說明：

1、上基板????11、真空吸附孔????12、電極片????2、下基板21、電極陣列????3、信號(hào)處理裝置????4、顯示裝置

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例提供一種真空對(duì)盒設(shè)備及對(duì)盒系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)液晶擴(kuò)散過程的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例做詳細(xì)描述。

實(shí)施例一

如圖1和圖2所示的真空對(duì)盒設(shè)備，包括：上基板1、與上基板1相對(duì)設(shè)置的下基板2和信號(hào)處理裝置3，上基板1的與下基板2相對(duì)的面上設(shè)置有電極片12，電極片12覆蓋整個(gè)上基板1，下基板2的與上基板1相對(duì)的面上設(shè)置有電極陣列21，電極陣列21的多個(gè)電極單元與信號(hào)處理裝置3相連接。

本實(shí)施例的真空對(duì)盒設(shè)備，通過在上基板1的與下基板2相對(duì)的面上設(shè)置電極片12，在下基板2的與上基板1相對(duì)的面上設(shè)置電極陣列21，當(dāng)給上基板1的電極片12和下基板2的電極陣列21充電后，即將電極片12和電極陣列21接入具有電源的電路后，電極片12與電極陣列21之間形成電容。

在給液晶面板的陣列基板和彩膜基板之間充入液晶后，由于C＝εS/d，兩基板之間有液晶和沒有液晶時(shí)介電常數(shù)ε是不同的，進(jìn)而上基板1和下基板2在有液晶和沒有液晶時(shí)電容值是不同的，且C＝Q/U，Q＝I×t，在電壓U沒有改變的情況下，電容值C變化會(huì)引起下基板2的電極陣列21產(chǎn)生變化的電流，這樣就將上基板1和下基板2之間有無液晶的變化轉(zhuǎn)換為了電流的變化，也就是將液晶的擴(kuò)散過程轉(zhuǎn)換為了電信號(hào)的變化。電極陣列21的多個(gè)電極單元與信號(hào)處理裝置3相連接，信號(hào)處理裝置3按照一定的頻率接收來自電極陣列21的電信號(hào)。