[發(fā)明專利]用于背照式圖像傳感器的抗反射層及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110218318.3
• 申請日: 2011-08-01
• 公開（公告）號: CN102376724A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設計）人: 黃志輝;蔡正原;杜友倫;蔡嘉雄;楊敦年;劉人誠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/205
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種背照式(B?SI)圖像傳感器器件，包括：

基板，具有前表面和后表面；

感光區(qū)，設置在所述基板的所述前表面處；以及

抗反射層，設置在所述基板的所述后表面上方，其中，當在小于700nm的波長處進行測量時，所述抗反射層具有大于或等于約2.2的折射率和小于或等于約0.05的消光系數。

2.根據權利要求1所述的BSI圖像傳感器器件，其中，當在大于500nm的波長處進行測量時，所述消光系數為0；或者

所述折射率大于或等于約2.4。

3.根據權利要求1所述的BSI圖像傳感器器件，其中，所述抗反射層為碳化硅(SiC)層，所述SiC層具有約20％至約30％的Si與C的比；或者

所述抗反射層不含Si-O鍵和Si-N鍵；或者

所述抗反射層具有約至約的厚度。

4.一種背照式(BSI)圖像傳感器器件，包括：

基板，具有前表面和后表面；

感光區(qū)，設置在所述基板的所述前表面處；以及

碳化硅(SiC)抗反射層，設置在所述基板的所述后表面上方，其中，所述SiC抗反射層具有約20％至約30％的Si與C的比。

5.根據權利要求4所述的BSI圖像傳感器器件，其中，對于約450nm至約700nm的光波長，所述SiC抗反射層具有大于或等于2.4的折射率。

6.根據權利要求4所述的BSI圖像傳感器器件，其中，所述SiC抗反射層不含Si-O鍵和Si-N鍵；或者

與氮氧化硅(SiON)或氮化硅(SiN)抗反射層相比，對于約450nm至約550nm輻射波長，所述SiC抗反射層提供相對高等級的傳輸。

7.根據權利要求4所述的BSI圖像傳感器器件，其中，所述SiC抗反射層具有小于或等于約0.05的消光系數；或者

所述SiC抗反射層與所述基板直接接觸；或者

所述Si?C抗反射層具有約至約的厚度。

8.一種方法，包括：

提供具有前表面和后表面的基板；

在所述基板的所述前表面處形成感光區(qū)；以及

在所述基板的所述后表面上方形成抗反射層，其中，當在小于700nm的波長處進行測量時，所述抗反射層被調整為具有大于或等于約2.2的折射率和小于或等于約0.05的消光系數。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，形成所述抗反射層包括：使用等離子體增強型化學汽相沉積(PECVD)工藝形成SiC抗反射層。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，執(zhí)行所述PECVD工藝包括：使用含有氦(He)和四甲基硅烷(4MS)的氣體混合物，其中，使用約300sccm至約500sccm的4MS流速和約4000sccm至約8000sccm的He流速；或者

執(zhí)行所述PECVD工藝包括：使用約2托至約3托的室壓力、約300℃至約350℃的室溫度、以及約800W至約1300W的功率；或者

形成所述SiC抗反射層包括：調整所述PECVD工藝，以形成具有約20％至約30％的Si與C的比的所述SiC抗反射層。