[發明專利]具有減小的RF損耗的射頻封裝有效
| 申請號: | 201110218310.7 | 申請日: | 2011-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN102543965A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 金俊德;陳美秀;葉子禎 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/66 | 分類號: | H01L23/66 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務所 11306 | 代理人: | 陸鑫;高雪琴 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 減小 rf 損耗 射頻 封裝 | ||
技術領域
本發明涉及通信領域,更具體地,本發明涉及一種射頻封裝方法及裝置。
背景技術
射頻(RF)器件廣泛用于通信系統。運行在高頻率(比如,在GHz頻率范圍內)的各種RF器件需要與其他器件相結合形成系統。因此,需要將RF器件封裝在封裝結構中。
有許多類型的傳統封裝結構可以用于封裝RF器件。在第一封裝結構中,RF器件形成在器件管芯中,該器件管芯堆疊在封裝基板上。封裝基板進一步通過倒裝接合法接合到印刷電路板(PCB)。接合線用于將直流(DC)電源提供到器件管芯,并且用于在器件管芯和封裝基板之間傳輸RF信號。RF信號進一步通過封裝通孔傳輸到PCB,該封裝通孔形成在封裝基板中。在這些封裝結構中,通常,接合線相比于RF信號的波長而言非常長,接合線上的RF損耗非常大。而且,接合線的形成會導致靜電放電(ESD),靜電放電(ESD)會損壞RF器件。器件管芯和封裝基板還可能存在熱膨脹系數(CTE)的高失配,從而可能會在器件管芯中產生高應力。
在另一種傳統基板中,RF器件形成在器件管芯中,其中,器件管芯通過倒裝封裝接合到中介層。中介層堆疊在封裝基板上。封裝基板進一步通過倒裝接合法接合到PCB。接合線用于將中介層接合到封裝基板。接合線用于將DC電源通過中介層提供到器件管芯,并且用于在器件管芯和封裝基板之間傳輸RF信號。RF信號進一步通過形成在封裝基板中的封裝通孔傳輸到PCB。此外,在這些封裝結構中,接合線相比于RF信號的波長而言較長,并且接合線上的RF損耗較大。而且,封裝線的形成還會導致ESD,ESD會損壞RF器件。
發明內容
為了解決現有技術所存在的問題,根據本發明的一個方面,提供了一種一種器件,包括:中介層,所述中介層包括:第一側和第二側,所述第二側相對于所述第一側,其中,所述中介層中不包括中介層通孔;第一無源器件,位于所述中介層的所述第一側上;以及第二無源器件,位于所述中介層的所述第二側上,其中,所述第一無源器件和所述第二無源器件配置為在所述第一無源器件和所述第二無源器件之間無線傳輸信號;以及射頻(RF)器件,接合到所述中介層的所述第一側,并且電連接到所述第一無源器件。
在該器件中,所述中介層進一步包括:第一基板、第二基板、以及粘合劑層,所述粘合劑層將所述第一基板接合到所述第二基板,其中,所述第一無源器件和所述粘合劑層位于所述第一基板的相對側,所述第二無源器件和所述粘合劑層位于所述第二基板的相對側;或者其中,所述RF器件選自基本上由低噪聲放大器(LNA)、混頻器、振蕩器、功率放大器、以及上述的組合所構成的組。
在該器件中,所述第一無源器件和所述第二無源器件包括無線信號傳輸器件,所述無線信號傳輸器件選自基本上由電容器和變壓器構成的組,所述電容器包括第一電容器極板和第二電容器極板,所述第一電容器極板是所述第一無源器件的一部分,所述第二電容器極板是所述第二無源器件的一部分,并且所述變壓器包括第一電感器和第二電感器,所述第一電感器是所述第一無源器件的一部分,所述第二電感器是所述第二無源器件的一部分,所述無線信號傳輸器件包括電容器,或者所述無線信號傳輸器件包括變壓器。
該器件進一步包括:封裝基板,接合到所述中介層的所述第二側;以及印刷電路板(PCB),接合到所述封裝基板,其中,所述中介層和所述PCB位于所述封裝基板的相對側上。
該器件進一步包括:接合線,接合到所述中介層的所述第一側以及所述封裝基板;或者其中,沒有接合線接合到所述封裝基板上,并且沒有接合線被配置為傳輸連接到RF器件的RF信號。
根據本發明的另一方面,還提供了一種器件,包括:第一中介層,包括第一側和第二側,所述第二側相對于所述第一側;第一無源器件,位于所述第一中介層的所述第一側,并且是所述第一中介側的一部分;第二中介層,包括第一側和第二側,所述第二側相對于所述第一側,其中,所述第一中介層的第二側面向并且接合到所述第二中介層的第二側,其中,在所述第一中介層和所述第二中介層中沒有設置金屬部件;第二無源器件,位于所述第二中介層的所述第一側上,并且是所述第二中介層的一部分;
射頻(RF)器件,接合到所述第一中介層的所述第一側;以及封裝基板,通過倒裝接合法接合到所述第二中介層的所述第一側,其中,所述RF器件以信號的方式連接到所述封裝基板。
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