[發明專利]絕緣體上硅MOS晶體管結構有效
| 申請號： | 201110218147.4 | 申請日： | 2011-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN102254949A | 公開（公告）日： | 2011-11-23 |
| 發明（設計）人： | 蒙飛 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣體 mos 晶體管 結構 | ||
1.一種絕緣體上硅MOS晶體管結構，其特征在于包括：背部柵極，布置在背部柵極上的體區氧化層、布置在體區氧化層上的硅片層；
所述絕緣體上硅MOS晶體管結構還包括：布置在硅片層中的第一淺溝槽隔離區、第二淺溝槽隔離區、以及有源區；
其中，有源區包括源極區域S以及漏極區域。
2.根據權利要求1所述的絕緣體上硅MOS晶體管結構，其特征在于，在第一方向上，依次布置了第一淺溝槽隔離區的第一部分、第二淺溝槽隔離區的第一部分、有源區、第二淺溝槽隔離區的第二部分、第一淺溝槽隔離區的第二部分。
3.根據權利要求1或2所述的絕緣體上硅MOS晶體管結構，其特征在于，在第二方向上，依次布置了漏極區域、溝道區域、源極區域。
4.根據權利要求3所述的絕緣體上硅MOS晶體管結構，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向垂直。
5.根據權利要求1或2所述的絕緣體上硅MOS晶體管結構，其特征在于，在第二方向上還布置了第二淺溝槽隔離區的第三部分以及偏執區域。
6.根據權利要求1或2所述的絕緣體上硅MOS晶體管結構，其特征在于，第一淺溝槽隔離區STI的厚度為1800A。
7.根據權利要求1或2所述的絕緣體上硅MOS晶體管結構，其特征在于，第二淺溝槽隔離區距離體區氧化層1200A。
8.根據權利要求1或2所述的絕緣體上硅MOS晶體管結構，其特征在于，第二淺溝槽隔離區的第一部分、第二淺溝槽隔離區的第二部分以及第二淺溝槽隔離區的第三部分連成整體。
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