[發明專利]微影過程中臨界尺寸的測試標記

有效

• 申請號: 201110218125.8
• 申請日: 2011-08-01
• 公開（公告）號: CN102280438A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 岳力挽;趙新民;周孟興;鮑曄;王彩虹
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G03F7/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及一種微影(Photo-Lithography)過程中臨界尺寸(Critical?Dimension，CD)的測試標記。

背景技術

在半導體工藝上，為了將集成電路(integrated?circuits)的圖案順利的轉移到半導體芯片上，必須先將電路圖案設計在光掩膜布局圖上，再依據光掩膜布局圖所輸出的光掩膜圖案(photomask?pattern)來制作光掩膜，并且將光掩膜上的圖案以一定的比例通過微影的方式轉移到半導體器件的光阻(Photo?Resistor，PR)層上。

然而，在將圖案轉移到光阻層上的過程中，由于制備工藝中的各種原因，如曝光原因，轉移到光阻層上的圖案會產生偏差(deviation)，如直角圓形化(right-angled?corner?rounding)、直線末端緊縮(line?end?shortened)、直線線寬增加或者縮減等。在大批量(mass?production)生產過程中，由于不能對每個產品的每個轉移到光阻層上的圖案進行檢測，因此，業界采用測試臨界尺寸的方式來監測圖案的轉移情況。臨界尺寸的測量需要使用測試標記，由于集成電路中的線路圖案通常包括獨立線(isolated?line)、獨立間隙(isolated?space)、密集線(dense?line)、密集間隙(dense?space)、半密集線(semi?line)、半密集間隙(semi?space)等，因此，為了準確的反應圖案的轉移情況，測試標記中應當包含盡可能多的圖案信息。

請參閱圖1，圖1是一種現有技術的微影過程中臨界尺寸的測試標記的示意圖。所述測試標記包括多個呈“L”形的測試棒(bar)，處于中間位置處的測試棒的長度大于兩邊的測試棒的長度。此種測試標記雖然結構簡單，但是僅僅能夠反應圖案中的密集線、密集間隙、獨立線的臨界尺寸，包含的信息不全。

發明內容

本發明的目的在于提供一種微影過程中包含更多圖案信息的臨界尺寸的測試標記。

一種微影過程中臨界尺寸的測試標記，包括：第一標記棒、第二標記棒、第三標記棒、第四標記棒，所述第一、第二、第三、第四標記棒依次連接形成一矩形方框，所述第一、第二、第三、第四標記棒用于測試獨立線臨界尺寸；形成于所述方框內且依次設置的第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七測試棒，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七測試棒包括相互垂直的第一邊和第二邊，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七測試棒的第一邊與所述第一標記棒平行，所述第二、第四、第六測試棒的第一邊包括第一部分和第二部分，所述第一、第三、第五、第七測試棒的第一邊與所述第二、第四、第六測試棒的第一邊的第一部分形成密集線測試棒，用于測試密集線或者密集間隙的臨界尺寸，所述第二、第四、第六測試棒的第一邊的第二部分形成半密集線測試棒，用于測試半密集線或者半密集間隙的臨界尺寸，所述第四測試棒的第一邊的末端鄰近所述第二標記棒，用于測試圖案的線端或者間隙端。

上述測試標記優選的一種技術方案，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七測試棒呈“L”形。

上述測試標記優選的一種技術方案，所述第二、第四、第六測試棒的第二邊包括第一部分和第二部分，所述第一、第三、第五、第七測試棒的第二邊與所述第二、第四、第六測試棒的第二邊的第一部分形成密集線測試棒，用于測試密集線或者密集間隙的臨界尺寸，所述第二、第四、第六測試棒的第二邊的第二部分形成半密集線測試棒，用于測試半密集線或者半密集間隙的臨界尺寸，所述第四測試棒的第二邊的末端鄰近所述第三標記棒。

上述測試標記優選的一種技術方案，所述方框內還包括一矩形標記區、與所述矩形標記區的兩相鄰邊相配合的“L”形標記區，所述矩形標記區和所述“L”形標記區之間形成一間隙，用于測量獨立間隙的臨界尺寸。

上述測試標記優選的一種技術方案，所述第一標記棒、第二標記棒、第三標記棒、第四標記棒的長度相等。