[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110217739.4
• 申請(qǐng)日: 2011-08-01
• 公開（公告）號(hào): CN102376355A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 五十嵐実;荒谷勝久
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): G11C13/00
• 分類號(hào): G11C13/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 武玉琴;陳桂香

1.一種存儲(chǔ)器件，其包括：

第一導(dǎo)電型的非晶半導(dǎo)體層；

固體電解質(zhì)層，所述固體電解質(zhì)層含有可移動(dòng)離子，并且所述固體電解質(zhì)層設(shè)置為與所述非晶半導(dǎo)體層的一個(gè)表面的一部分相接觸；

第一電極，所述第一電極通過所述固體電解質(zhì)層與所述非晶半導(dǎo)體層電連接；

第二電極，所述第二電極與所述非晶半導(dǎo)體層的所述一個(gè)表面電連接；以及

第三電極，所述第三電極設(shè)置在所述非晶半導(dǎo)體層的另一表面的上方，并且在所述第三電極與所述非晶半導(dǎo)體層之間設(shè)置有絕緣層，

其中，當(dāng)向所述第三電極施加電壓時(shí)，至少部分所述非晶半導(dǎo)體層可逆地變?yōu)榈诙?dǎo)電型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，

當(dāng)向所述第三電極施加電壓時(shí)，在所述非晶半導(dǎo)體層上形成有累積層，并且通過所述可移動(dòng)離子從所述固體電解質(zhì)層向所述非晶半導(dǎo)體層的移動(dòng)，所述非晶半導(dǎo)體層的導(dǎo)電型發(fā)生變化。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器件，其中，

所述第一電極與所述第二電極之間的電阻值的大小通過調(diào)節(jié)所述第一電極與所述第二電極之間施加的電壓的大小和時(shí)間來控制。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器件，其中，

通過控制所述電阻值的大小存儲(chǔ)至少一位。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器件，其中，

所述非晶半導(dǎo)體層中的陷阱濃度等于或高于施主濃度或者受主濃度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器件，其中，

所述固體電解質(zhì)層中包含的所述可移動(dòng)離子變得可移動(dòng)的溫度為300K以上，并且

在300K時(shí)所述固體電解質(zhì)層中的所述可移動(dòng)離子的濃度等于或少于所述非晶半導(dǎo)體層的陷阱濃度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器件，還包括阻熱層，所述阻熱層設(shè)置在位于所述第一電極與所述固體電解質(zhì)層之間的部位和位于所述第二電極與所述非晶半導(dǎo)體層之間的部位中的一處或兩處。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器件，其中，

所述非晶半導(dǎo)體層含有硫族元素(S、Se、Te)或者硫族元素的合金。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器件，其中，

所述硫族元素是S、Se或Te。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器件，其中，

所述非晶半導(dǎo)體層是由Ge_XTe_100-X制成的，其中10≤X≤60。