[發(fā)明專利]一種降低串聯(lián)電阻損失的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)及其實(shí)現(xiàn)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110217654.6
• 申請(qǐng)日: 2011-07-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102339874A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盛健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種降低串聯(lián)電阻損失的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括透明導(dǎo)電膜(1)、減反膜(2)、摻雜層(3)、硅襯底(4)、背表面場(chǎng)(5)和電極(6)，所述的透明導(dǎo)電膜(1)覆蓋于在電池受光面的減反膜(2)表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低串聯(lián)電阻損失的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的透明導(dǎo)電膜(1)的摻雜濃度為10¹⁹-10²²/cm³，薄膜電阻率小于800Ω·cm，折射率為1.6-1.8，薄膜厚度為50-150nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低串聯(lián)電阻損失的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的硅襯底(4)的上層依次覆蓋有摻雜層(3)、減反膜(2)和透明導(dǎo)電膜(1)，硅襯底(4)的下層設(shè)置有背表面場(chǎng)(5)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低串聯(lián)電阻損失的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的透明導(dǎo)電膜(1)的材質(zhì)為金屬氧化物或金屬氮化物。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的降低串聯(lián)電阻損失的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的金屬氧化物或金屬氮化物為In₂O₃、SnO₂、ZnO、CdO或TiN。

6.一種降低串聯(lián)電阻損失太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法，具有以下步驟：(1)、硅片絨面制備；(2)、硅片摻雜形成P-N；(3)、背結(jié)刻蝕；(4)、正背面減反膜制備；(6)、背面電極電場(chǎng)制備；(7)、正背面電極制備；(8)、電池金屬化形成，其特征在于：步驟(4)正背面減反膜制備之后還增加有步驟(5)正面透明導(dǎo)電膜制備：透明導(dǎo)電膜采用磁控濺射法制備，合金蒸發(fā)溫度為750℃-850℃，襯底的加熱溫度為200℃-350℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的降低串聯(lián)電阻損失太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于：所述的透明導(dǎo)電膜為摻雜錫的氧化銦，具體方法為：用鎢絲加熱的石英玻璃舟蒸發(fā)高純度如99.999％、錫的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10％的銦錫合金，其銦錫合金的蒸發(fā)溫度約為800℃，以純凈的氧氣作為反應(yīng)氣體，氧分壓為2×10^-2Pa，系統(tǒng)的基礎(chǔ)真空度為10^-3Pa；襯底用電阻加熱，溫度在室溫到300℃范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)，由銅-康銅熱電偶監(jiān)控，蒸發(fā)源到基片的距離為25cm；蒸發(fā)源的加熱功率保持不變，薄膜生長(zhǎng)速率約為5nm/min。