[發(fā)明專利]摻雜襯底上的超薄SiO2生長工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110217320.9
• 申請日: 2011-08-01
• 公開（公告）號: CN102270578A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發(fā)明（設計）人: 于宗光;張明;戴昌梅;吳曉鶇
• 申請（專利權）人: 無錫中微晶園電子有限公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種摻雜襯底上的超薄SiO₂生長工藝，其特征是，所述超薄SiO₂生長工藝包括如下步驟：

（a）、提供需要生長超薄SiO₂層的半導體基板；

（b）、去除半導體基板表面的自然氧化層；

（c）、向氧化爐管內以10~18L/min的速度通入氮氣，并將上述清洗后的半導體基板通過反應舟送入氧化爐管內，且使半導體基板生長厚度均勻的SiO₂層；

（d）當氧化爐管的溫度在650℃~750℃時，使氧化爐管的溫度保持10~30min；

（e）、當氧化爐管的溫度穩(wěn)定后，向氧化爐管內通入O₂，N₂與O₂混合后，半導體基板在氧化爐管內生長20~40分鐘生長SiO₂層，N₂與O₂在氧化爐管內混合的體積比為10：1~100：1。

2.根據(jù)權利要求1所述的摻雜襯底上的超薄SiO₂生長工藝，其特征是：所述步驟（e）中，半導體基板上生長SiO₂層厚度為2~10nm。

3.根據(jù)權利要求1所述的摻雜襯底上的超薄SiO₂生長工藝，其特征是：所述步驟（b）中，通過HF溶液去除半導體基板表面的自然氧化層。

4.根據(jù)權利要求1所述的摻雜襯底上的超薄SiO₂生長工藝，其特征是：所述半導體基板的材料包括硅。

5.根據(jù)權利要求3所述的摻雜襯底上的超薄SiO₂生長工藝，其特征是：所述HF溶液的濃度為10%。