[發(fā)明專利]薄膜制造方法和薄膜元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110217303.5 | 申請日： | 2011-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN102343326A | 公開（公告）日： | 2012-02-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 八木雅廣;太田英一;秋山善一;田代亮;町田治 | 申請（專利權）人： | 株式會社理光 |
| 主分類號： | B05D1/18 | 分類號： | B05D1/18;B05C11/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 王冉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 制造 方法 元件 | ||
1.一種薄膜制造方法，包括：
將襯底放置到原材料溶液中，通過該原材料溶液在該襯底的第一主平面上形成薄膜；
通過將光從光源施加到第一主平面?zhèn)龋谠撘r底的第一主平面上形成薄膜；
通過應用來自該光源的光，測量從該襯底的第一主平面到該原材料溶液的液面的距離；以及
基于測量時獲得的測量結(jié)果，調(diào)整高度方向上該襯底的位置。
2.一種薄膜制造方法，包括：
將襯底放置到原材料溶液中，通過該原材料溶液在該襯底的第一主平面上形成薄膜；
通過將光從光源施加到第一主平面?zhèn)龋谠撘r底的第一主平面上形成薄膜；
測量從該襯底的第一主平面到該原材料溶液的液面的距離；以及
基于測量時獲得的測量結(jié)果，調(diào)整從該光源發(fā)射的光的輸出功率。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的薄膜制造方法，其中，
該原材料溶液為金屬氧化物前體溶液，并且
該薄膜為金屬氧化物薄膜。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的薄膜制造方法，其中，
該形成包括將波長為400nm或更短的光從該第一主平面?zhèn)仁┘拥皆O定為照射位置的該原材料溶液的液面。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的薄膜制造方法，其中，
該形成包括將波長為400nm或更短的光從該第一主平面?zhèn)仁┘拥阶鳛檎丈湮恢玫奈挥谠撛牧先芤簝?nèi)部的位置。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的薄膜制造方法，其中，
該形成包括將波長為400nm或更長的光從該第一主平面?zhèn)仁┘拥阶鳛檎丈湮恢玫脑撘r底的該第一主平面。
7.根據(jù)權利要求1或2所述的薄膜制造方法，其中，
該形成包括將波長為400nm或更長的光從該第一主平面?zhèn)仁┘拥阶鳛檎丈湮恢玫奈挥谠撘r底內(nèi)部的位置。
8.根據(jù)權利要求1或2所述的薄膜制造方法，其中，
該形成包括將波長為400nm或更長的光從該第一主平面?zhèn)仁┘拥阶鳛檎丈湮恢玫牡诙髌矫妫摰诙髌矫鏋樵撘r底的該第一主平面的背側(cè)。
9.根據(jù)權利要求1至8任一項所述的薄膜制造方法，還包括：
擋板，用于減少該原材料溶液上出現(xiàn)的波，該擋板配置在填充有反應溶液的反應容器的內(nèi)壁上。
10.一種薄膜元件，由通過權利要求1至9任一項所述的薄膜制造方法制造的薄膜形成。
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