[發(fā)明專利]磁存儲(chǔ)器元件及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110217230.X
• 申請(qǐng)日: 2011-07-29
• 公開（公告）號(hào): CN102376738A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大森廣之;細(xì)見(jiàn)政功;別所和宏;肥后豐;山根一陽(yáng);內(nèi)田裕行
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L27/22
• 分類號(hào): H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12;G11C11/15
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種磁存儲(chǔ)器元件，包括：

存儲(chǔ)層，在層表面上具有垂直磁化，其磁化方向根據(jù)信息而改變；以及

參考層，通過(guò)非磁性層與所述存儲(chǔ)層相對(duì)設(shè)置，所述參考層為信息的基準(zhǔn)，而且在層表面上具有垂直磁化，

其中，所述存儲(chǔ)器元件通過(guò)電流在所述存儲(chǔ)層、所述非磁性層以及所述參考層構(gòu)成的層間流動(dòng)時(shí)所產(chǎn)生的自旋扭矩反轉(zhuǎn)所述存儲(chǔ)層的磁化來(lái)存儲(chǔ)信息，以及

所述存儲(chǔ)層在存儲(chǔ)時(shí)的溫度下的矯頑力為室溫下矯頑力的0.7倍以下，

在所述存儲(chǔ)層的一側(cè)上形成的電極的層面方向上的中央部的熱導(dǎo)率低于其周邊部的熱導(dǎo)率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲(chǔ)器元件，其中，所述電極形成為大致上具有中央部的厚度小于周邊部的厚度的凹形截面，并且低熱導(dǎo)率的絕緣體被填充到形成于所述中央部的凹陷部分中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲(chǔ)器元件，其中，所述電極形成為管狀，并且在所述管狀的內(nèi)部填充有低熱導(dǎo)率的絕緣體。

4.一種磁存儲(chǔ)器元件的制造方法，所述磁存儲(chǔ)器元件包括：存儲(chǔ)層，在層表面上具有垂直磁化，其磁化方向根據(jù)信息而改變；以及參考層，通過(guò)非磁性層與所述存儲(chǔ)層相對(duì)設(shè)置，所述參考層為信息的基準(zhǔn)，而且在層表面上具有垂直磁化，其中，所述存儲(chǔ)器元件通過(guò)電流在所述存儲(chǔ)層、所述非磁性層以及所述參考層構(gòu)成的層間流動(dòng)時(shí)所產(chǎn)生的自旋扭矩反轉(zhuǎn)所述存儲(chǔ)層的磁化來(lái)存儲(chǔ)信息，所述方法包括：

在所述參考層側(cè)的電極上形成至少具有所述參考層、所述非磁性層和所述存儲(chǔ)層的層結(jié)構(gòu)，將所述層結(jié)構(gòu)形成為使得所述存儲(chǔ)層在存儲(chǔ)時(shí)的溫度下的矯頑力為室溫下矯頑力的0.7倍以下；以及

在所述存儲(chǔ)層的一側(cè)上形成另一電極，所述另一電極中填充有低熱導(dǎo)率的絕緣體，使得所述另一電極的層面方向上的中央部的熱導(dǎo)率低于其周邊部的熱導(dǎo)率。