[發明專利]倒裝芯片型半導體背面用膜及其用途

有效

• 申請號: 201110217073.2
• 申請日: 2011-07-28
• 公開（公告）號: CN102382587A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 高本尚英;志賀豪士;淺井文輝
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;H01L23/29;H01L23/544
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種倒裝芯片型半導體背面用膜，其要設置于倒裝芯片連接至被粘物上的半導體元件的背面上，

所述倒裝芯片型半導體背面用膜包括粘合劑層和層壓于所述粘合劑層上的保護層，

其中所述保護層包括具有玻璃化轉變溫度為200℃以上的耐熱性樹脂或包括金屬。

2.根據權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，其中所述耐熱性樹脂為選自由聚酰亞胺、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酰亞胺、聚醚酮和聚醚醚酮組成的組的至少一種。

3.根據權利要求2所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，其中所述耐熱性樹脂為聚酰亞胺。

4.根據權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，其中所述金屬為選自由鋁、耐酸鋁、不銹鋼、鐵、鈦、錫和銅組成的組的至少一種。

5.根據權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，其中所述保護層面向所述粘合劑層的表面已進行表面活化處理。

6.根據權利要求5所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，其中所述表面活化處理為選自由等離子處理、臭氧水處理、紫外線臭氧處理和離子束處理組成的組的至少一種處理。

7.一種半導體背面用切割帶集成膜，其包括：

切割帶，所述切割帶包括基材和層壓于所述基材上的壓敏粘合劑層，和

根據權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，所述倒裝芯片型半導體背面用膜層壓于所述壓敏粘合劑層上以致所述保護層面向所述壓敏粘合劑層。

8.一種半導體器件的生產方法，所述方法包括：

將半導體晶片粘貼至在根據權利要求7所述的半導體背面用切割帶集成膜中的所述倒裝芯片型半導體背面用膜上，

切割所述半導體晶片以形成半導體元件，

將所述半導體元件與所述倒裝芯片型半導體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離，

將焊劑粘附至所述半導體元件中的被粘物用連接構件，和

將所述半導體元件倒裝芯片連接至所述被粘物上。