[發明專利]適用于銅制程的半導體裝置

有效

• 申請號: 201110217002.2
• 申請日: 2011-07-28
• 公開（公告）號: CN102820331A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 張翼;張嘉華;林岳欽;陳宥綱;謝廷恩
• 申請（專利權）人: 財團法人交大思源基金會
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45;H01L29/43
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種適用于銅制程的半導體裝置，包含一個以氮化鎵系半導體為主要材料構成的本體及至少一組與該本體電連接并用于與外部電路電連接的電極結構；其特征在于，

該電極結構包括一層形成于該本體上并與該本體形成歐姆接觸的歐姆接觸層、一層形成于該歐姆接觸層上的抑制層及一層形成于該抑制層上且以銅為主成份的導線層，構成該歐姆接觸層的材料選自鈦、鋁、鎳及至少包含上述元素中的一種的合金，構成該抑制層的材料選自鈦、鎢、氮化鈦、氮化鎢及以其中的一種組合為主成份構成的材料。

2.根據權利要求1所述的適用于銅制程的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包含二組電極結構及一組柵極結構，且該柵極結構包括一層形成于該本體上的導電材。

3.根據權利要求2所述的適用于銅制程的半導體裝置，其特征在于，該歐姆接觸層的厚度是165nm～330nm，該抑制層的厚度是10nm～30nm，該導線層由銅所構成，且厚度是50nm～150nm。

4.根據權利要求3所述的適用于銅制程的半導體裝置，其特征在于，該本體包括一層以氮化鎵為主成份的第一膜層及一層以氮化鋁鎵為主成份且形成于該第一膜層上的第二膜層，該第二膜層與該電極結構的歐姆接觸層連接并相歐姆接觸。