[發明專利]層壓體以及用該層壓體制造超薄基片的方法和設備有效
| 申請號: | 201110216992.8 | 申請日: | 2003-06-02 |
| 公開(公告)號: | CN102420114A | 公開(公告)日: | 2012-04-18 |
| 發明(設計)人: | 野田一樹;巖澤優 | 申請(專利權)人: | 3M創新有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20;H01L21/683;B32B27/06;B32B27/18 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 張宜紅 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 層壓 以及 體制 超薄 方法 設備 | ||
1.一種用于制造層壓體的設備,
所述層壓體包括:
待研磨基片;
與所述基片接觸的粘合層;
位于該粘合層下方的光熱轉換層,其含有吸光劑和可熱分解樹脂;和
位于該光熱轉換層下方的透光載體;
施加于光熱轉換層的輻射能導致可熱分解樹脂發生熱分解,熱分解產生的氣體將光熱轉換層分成兩部分,從而分離載體和基片;
所述可熱分解樹脂選自:聚氨酯、聚酯、聚原酸酯、聚乙烯基吡咯烷酮、偏二氯乙烯和丙烯腈的共聚物、有機硅樹脂、含有聚氨酯單元的嵌段共聚物、或其組合;
其中位于透光載體上的光熱轉換層在減壓條件下通過粘合層被層壓在待研磨基片上,所述設備包括:
真空室,它能減壓至預定壓力;
位于所述真空室中的支撐部件,在該支撐部件上安放(i)待研磨基片或(ii)透光載體,其上形成有光熱轉換層;和
位于所述真空室中的固定和放松裝置,它能在所述支撐部件的上部在垂直方向上移動,能夾持另一個待研磨基片或其上形成有光熱轉換層的透光載體的外緣,在待研磨基片與光熱轉換層非常接近時還能將其松開。
2.一種制造研磨基片的設備,其包括:
研磨器,適于對層壓體基片進行研磨;
所述層壓體包括:
待研磨基片;
與所述基片接觸的粘合層;
位于該粘合層下方的光熱轉換層,其含有吸光劑和可熱分解樹脂;和
位于該光熱轉換層下方的透光載體;
施加于光熱轉換層的輻射能導致可熱分解樹脂發生熱分解,熱分解產生的氣體將光熱轉換層分成兩部分,從而分離載體和基片;
所述可熱分解樹脂選自:聚氨酯、聚酯、聚原酸酯、聚乙烯基吡咯烷酮、偏二氯乙烯和丙烯腈的共聚物、有機硅樹脂、含有聚氨酯單元的嵌段共聚物、或其組合;
所述設備還包括:
輻射源,它能通過所述透光載體向所述光熱轉換層提供足夠高的輻射能,使所述光熱轉換層分解,從而在研磨之后分離所述基片和所述透光載體;和
分離器,適于從所述基片上除去所述粘合層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





