[發明專利]太陽電池的制造方法無效
| 申請號： | 201110216943.4 | 申請日： | 2011-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN102254999A | 公開（公告）日： | 2011-11-23 |
| 發明（設計）人： | 黃明政;黃明義;林漢涂 | 申請（專利權）人： | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;鮑俊萍 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽電池 制造 方法 | ||
1.一種太陽電池的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，并于該基板上形成一基底電極；
于該基底電極上形成一銅銦鎵硒結晶層；
對該銅銦鎵硒結晶層的表面進行一化學機械研磨工藝，以平坦化該銅銦鎵硒結晶層的表面；
于已平坦化的該銅銦鎵硒結晶層表面上形成一緩沖層；以及
于該緩沖層上形成一透明導電層。
2.根據權利要求1的所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，該銅銦鎵硒結晶層經該化學機械研磨工藝后的厚度偏差小于0.1微米。
3.根據權利要求1的所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，該銅銦鎵硒結晶層經該化學機械研磨工藝后的表面能隙大于或等于1.3eV。
4.根據權利要求1的所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，該銅銦鎵硒結晶層經該化學機械研磨工藝后的能隙實質上介于1.3eV至1.68eV之間。
5.根據權利要求1的所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，該銅銦鎵硒結晶層經該化學機械研磨工藝后的膜厚介于1.5微米至2.5微米之間。
6.根據權利要求1的所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，形成該緩沖層的方法為干沉積。
7.根據權利要求6的所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，形成該緩沖層的干沉積方法包括化學氣相沉積或物理氣相沉積。
8.根據權利要求1的所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，該銅銦鎵硒結晶層為P型半導體，且該緩沖層為N型半導體。
9.根據權利要求1的所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，該緩沖層的材料包括硫化鎘、硫化鋅，該基底電極的材料包括鉬、鈦、鎢或鋁。
10.根據權利要求1的所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，該透明導電層的材料包括氧化鋅、鋁氧化鋅或銦錫氧化物。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
